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    CMOS compatible manufacturing of a hybrid SET-FET circuit
    A del Moral ; Amat, E ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-11-15), S. 125014-125014
    Online unknown
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    CMOS image sensors in ISSCC 2023
    Feng, Peng ; Wu, Nanjian ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 44 (2023-04-01), S. 040202-40202
    Online unknown
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    CMOS charge qubits and qudits: entanglement entropy and mutual information as an optimization method to construct CNOT and SWAP Gates
    Petropoulos, Nikolaos ; Blokhina, Elena ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-07-30), S. 095014-95014
    Online unknown
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    CMOS-compatible manufacturability of sub-15 nm Si/SiO2/Si nanopillars containing single Si nanodots for single electron transistor applications
    J von Borany ; Engelmann, H-J ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-03-28), S. 055011-55011
    Online unknown
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    A latch-up-free LVTSCR with improved overshoot characteristic for ESD protection in 40 nm CMOS process
    Liu, Zhiwei ; Liu, Hongxia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-05-26), S. 065025-65025
    Online unknown
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    A 26-Gb/s CMOS optical receiver with a reference-less CDR in 65-nm CMOS
    Pan, Quan ; Luo, Xiongshi ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-07-01), S. 072401-72401
    Online unknown
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    Lab-on-CMOS — an in-vitro diagnostic (IVD) tool for a healthier society
    Mak, Pui-In
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-11-01), S. 110301-110301
    Online unknown
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    Realization of wafer-scale single-crystalline GaN film on CMOS-compatible Si(100) substrate by ion-cutting technique
    Mu, Fengwen ; Xu, Wenhui ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-10-13), S. 125004-125004
    Online unknown
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    Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-10-01), S. 102301-102301
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A low-power high-quality CMOS image sensor using 1.5 V 4T pinned photodiode and dual-CDS column-parallel single-slope ADC
    Xu, Wenjing ; Chen, Jie ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-08-01), S. 082401-82401
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Demonstration of 4H-SiC CMOS digital IC gates based on the mainstream 6-inch wafer processing technique
    Yang, Tongtong ; Wang, Yan ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-08-01), S. 082801-82801
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Physical vapor deposited 2D bismuth for CMOS technology
    Sun, Xinghao ; Tao, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-08-01), S. 081001-81001
    Online unknown
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    Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18 μm CMOS process
    Wu, Jianwei ; Yu, Zongguang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-12-01), S. 122403-122403
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CMOS analog and mixed-signal phase-locked loops: An overview
    Zhang, Zhao
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-11-01), S. 111402-111402
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An E-band CMOS frequency quadrupler with 1.7-dBm output power and 45-dB fundamental suppression
    Liao, Xiaofei ; Zhao, Dixian ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-09-01), S. 092401-92401
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and verification of novel silicon-controlled-rectifier-memristor based on standard CMOS process
    Peng, Yan ; Luo, Jun ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2020-11-06), S. 015003-15003
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Strain effect on performance of multi-stacked gate-all-around CMOS inverters
    Oh, Saeroonter ; Ji Hwan Lee ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-10-28), S. 125021-125021
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 0.1–1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier
    Zhang, Mingzhe ; Wu, Haifeng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-06-01), S. 062401-62401
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Uniform, fast, and reliable CMOS compatible resistive switching memory
    Hao, Yunxia ; Zhang, Ying ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-05-01), S. 054102-54102
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    An integrated front-end vertical hall magnetic sensor fabricated in 0.18 μm low-voltage CMOS technology
    Shu, Zhengwu ; Jiang, Lei ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 43 (2022-03-01), S. 032402-32402
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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