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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
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    LPE growth and optical characteristics of GaAs 1− x Sb x epilayer
    Wang, Yang ; Wang, Chao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    Online unknown
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    Growth of high purity InGaAs LPE layers and their characterization
    Fornuto, Gerardo ; Chen, Ru-Chang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 102 (1990-05-01), S. 477-480
    Online unknown
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    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1−xP (x≈0.5) grown by LPE and MOCVD
    Gorbatchev, A.Yu. ; Elyukhin, V. A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-09-01), S. 8092-8095
    Online unknown
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    LPE growth of InP/InGaAsP/InP heterostructures and separate preparation of high-temperature solutions
    Vilk, D. M. ; Shelyakin, A. A. ; et al.
    In: Inorganic Materials, Jg. 43 (2007-07-01), S. 683-688
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    Hu, Song ; Deng, Huiyong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 327 (2011-07-01), S. 63-67
    Online unknown
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    Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga–As–Bi melt
    Ramasamy, P. ; Saravanan, Shanmugam ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 200 (1999-04-01), S. 341-347
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation of the 'composition-pulling or lattice-latching' effect in LPE
    Mishurnyi, V.A. ; Méndez-García, V.H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 277 (2005-04-01), S. 138-142
    Online unknown
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    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    Kosel, T. ; Silva-Andrade, F. ; et al.
    In: Journal of Non-Crystalline Solids, 2004-06-01, S. 269-272
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    Olvera-Hernández, J. ; Navarro-Contreras, Hugo R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 208 (2000), S. 27-32
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Interface recombination and photoluminescence efficiency of thick (> 3 μm) InGaAs prepared by LPE with InAs-enriched composition
    Parry, M.K. ; Krier, Anthony
    In: Thin Solid Films, Jg. 259 (1995-04-01), S. 163-166
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of arsenic concentration on the surface morphology and photoluminescence of LPE grown with high aluminium content
    Dutta, Partha S. ; Kumar, Vikram ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 160 (1996-03-01), S. 177-180
    Online unknown
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    Photoluminescence of GaAs layers hybrid-grown on Si by MBE and LPE
    Unno, T. ; Yazawa, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 115 (1991-12-01), S. 519-523
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of erbium doping of InP and (Ga,In)(As,P) layers grown by LPE
    Haigh, J. ; Chatterjee, A.K.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 106 (1990-12-01), S. 537-542
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Ga0.5P
    Lee, H. J. ; Chung, Chan-Hwa ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 82 (1992-04-01), S. 7-12
    Online unknown
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    Gettering properties of PrO2 in In0.53Ga0.47As LPE growth
    Kuliffayová, M. ; Hasenöhrl, Stanislav ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991-04-01), S. 862-866
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    Tomita, Akiyoshi ; Migitaka, Masatoshi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 116 (1992-02-01), S. 351-356
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LPE growth and characterization of InGaAsP/InP multiquantum well epitaxial layers
    Ogura, Mototsugu ; Sasai, Yoichi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 78 (1986-12-01), S. 461-467
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    LPE growth of 1.5–1.6 μm In1−xGaxAs1−yPy crystals by a modified source-seed method
    Takahei, K. ; Nagai, H.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 51 (1981-03-01), S. 541-550
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Behavior of macrosteps and grooves during LPE growth as observed by photoluminescence images
    Pak, Kangsa ; Kazuno, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 65 (1983-12-01), S. 607-610
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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