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    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe2 and WSe2 Nanosheets as Channel Materials for FET Application
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-02-06), S. 2819-2830
    Online unknown
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    Improved responsivity and detectivity of LPE HgCdTe short-wavelength infrared photodetector by tuning the composition gradient
    Yang, Dan ; Lin, Jiamu ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 205 (2023-07-01), S. 108665-108665
    Online unknown
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    GaN crystals growth in the Na-Li-Ca flux by liquid phase epitaxy (LPE) technique
    Hao, Hangfei ; Xu, Zhuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 521 (2019-09-01), S. 30-33
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
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    Growth evolution of SiGe graded buffers during LPE cooling process
    Wang, Jun ; Quitoriano, Nathaniel J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 502 (2018-11-01), S. 54-63
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improved responsivity and detectivity of LPE HgCdTe short-wavelength infrared photodetector by tuning the composition gradient
    Yang, Dan ; Lin, Jiamu ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 205, page 108665 ; ISSN 0038-1101, 2023
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    2D nanosheets from fool’s gold by LPE: High performance lithium-ion battery anodes made from stone
    Tian, Ruiyuan ; Kaur, Harneet ; et al.
    In: FlatChem, Jg. 30 (2021-11-01), S. 100295-100295
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Liquid-phase exfoliation (LPE) of graphite towards graphene: An ab initio study
    Monajjemi, Majid
    In: Journal of Molecular Liquids, Jg. 230 (2017-03-01), S. 461-472
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    LPE growth and optical characteristics of GaAs 1− x Sb x epilayer
    Wang, Yang ; Wang, Chao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 463 (2017-04-01), S. 123-127
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Continuous change of supersaturation and evolution of oriented structure in dipping LPE process of YBa2Cu3O7−
    Yao, Xin ; Chen, Y. Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 404 (2014-10-01), S. 69-74
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of Lattice Mismatch on HgCdTe LPE Film Surface Morphology
    Sun, Quanzhi ; Wei, Yanfeng ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 45 (2016-05-24), S. 4674-4679
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    HgCdTe/CdZnTe LPE epitaxial layers: From material growth to applications in devices
    Bezsmolnyy, Yuriy ; Smolii, Mariia ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 529 (2020), S. 125295-125295
    Online unknown
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    High-purity InAs1-Sb epilayer grown by a LPE technique
    Xu, Yujin ; Lv, Yingfei ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 416 (2015-04-01), S. 96-99
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of high purity InGaAs LPE layers and their characterization
    Fornuto, Gerardo ; Chen, Ru-Chang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 102 (1990-05-01), S. 477-480
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials
    Wei, Yanfeng ; Sun, Quanzhi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-03-21), S. 2773-2778
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LPE growth and characterization of InAs1−xNx films
    Wang, Yunuan ; Qiu, F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 398 (2014-07-01), S. 1-4
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Processing of LPE-Grown HgCdTe for MWIR Devices Designed for High Operating Temperatures
    Lutz, H. ; Ziegler, Johann ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-02-07), S. 2778-2782
    Online unknown
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    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    Meissner, Elke ; Azizi, Maral ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 322 (2011-05-01), S. 74-77
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    Milanova, M. ; Koleva, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 346 (2012-05-01), S. 79-82
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1−xP (x≈0.5) grown by LPE and MOCVD
    Gorbatchev, A.Yu. ; Elyukhin, V. A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-09-01), S. 8092-8095
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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