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    New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Mironov, O. A. ; Hassan, A. H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 61-64
    Konferenz
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    Challenges in CMOS-based images : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Roy, F. ; Tournier, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 50-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature plasma oxidation for advanced 3D CMOS-based devices : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Niess, J. ; Kegel, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 37-40
    Konferenz
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    Accurate electrical activation characterization of CMOS ultra-shallow profiles : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Clarysse, T. ; Dortu, F. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 166-173
    Konferenz
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    Advanced front-end processes for the 45nm CMOS technology node : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Collart, E. J. ; Felch, S. B. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 118-129
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni based silicides for 45nm CMOS and beyond : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Lauwers, A. ; Kittl, J. A. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 29-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New physics mechanisms enabled by advanced SOI CMOS engineering : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Cristoloveanu, S.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 9-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Influence of Defects on Compatibility and Yield of the HfO~2-PolySilicon Gate Stack for CMOS Integration : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kaushik, V. S. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 335-342
    Konferenz
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    Interface Quality and Electrical Performance of Low-Temperature Metal Organic Chemical Vapor Deposition Aluminum Oxide Thin Films for Advanced CMOS Gate Dielectric Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Skordas, S. ; Papadatos, F. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 209-214
    Konferenz
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    Characterization of Ruthenium and Ruthenium Oxide Thin Films Deposited by Chemical Vapor Deposition for CMOS Gate Electrode Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Papadatos, F. ; Skordas, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 61-66
    Konferenz
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    Physical and Electrical Properties of Al~2O~3, HfO~2, and Their Alloy Films Prepared by Atomic Layer Deposition for 65nm CMOS Gate Dielectric : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kawahara, T. ; Torii, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 155-160
    Konferenz
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    Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Mo, H. ; Liu, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 129-134
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Measuring The Work Functions of PVD TaN, TaSiN and TiSiN Films With a Schottky Diode CV Technique for Metal Gate CMOS Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Pan, J. ; Woo, C. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 55-60
    Konferenz
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    Crosstalk suppression of CMOS compatible AlN based SAW devices on low resistive Si (100) : Group III nitrides; the E-MRS 2013
    Kaletta, U.C. ; Wolansky, D. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 2, S. 249-252
    Konferenz
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    The Nano-CMOS era. Will CMOS be Scaled Beyond the Roadmap? : Materials Research Society of Japan; SI LSI related materials processes and characterization technology
    Deleonibus, S. ; Ernst, T. ; et al.
    In: TRANSACTIONS-MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN, Jg. 29 (2004), Heft NO 3, S. 695-700
    Konferenz
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    Ru/Ta Alloying Behavior and Its Implications for Laminate Based CMOS Integration : Gate stack scaling: materials, role of interfaces and reliability implications
    De Gendt, S. ; Lisoni, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 917 (2006), S. 106-111
    Konferenz
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    Electrical and Material Evaluation of the MOCVD TiN as Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Technology : Gate stack scaling: materials, role of interfaces and reliability implications
    Carbonell, L. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 917 (2006), S. 174-179
    Konferenz
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    Technology CAD for germanium CMOS circuit : From strained silicon to nanotubes: novel channels for field effect devices
    Saha, A. R. ; Maiti, C. K.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 135 (2006), Heft 3, S. 261-266
    Konferenz
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    Improved CMOS performance via enhanced carrier mobility : Advanced silicon for the 21st century
    Mooney, P. M.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 134 (2006), Heft 2/3, S. 133-137
    Konferenz
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    New materials and device architectures for the end-of-roadmap CMOS nodes : Materials science and device issues for future Si-based technologies; EMRS 2005
    Skotnicki, T. ; Boeuf, F. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 124-125 (2005), S. 3-7
    Konferenz
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xs 0 - 576
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