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    Suppression of Stress-Induced Defects in FinFET by Implantation and STI Co-Optimization
    David Wei Zhang ; Sun, Qing-Qing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2587-2589
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    Reliability Concerns on LDMOS With Different Split-STI Layout Patterns
    Chen, Hongting ; Zhang, Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), S. 185-192
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    RESURF Model and Electrical Characteristics of Finger-Type STI Drain Extended MOS Transistors
    Tsai, Hung-Chih ; Liou, Ruey-Hsin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4603-4609
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    Breakdown Voltage Model and Electrical Characteristics of CMOS Compatible RESURF STI Drain Extended MOS Transistors
    Lin, Yi-Chin ; Yadav, Yogendra ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), S. 1958-1963
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    Additional Nitrogen Ion-Implantation Treatment in STI to Relax the Intrinsic Compressive Stress for n-MOSFETs
    Ssu Chieh Kao ; Chih Hua Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-08-01), S. 2033-2036
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    Layout Variation Effects in Advanced MOSFETs: STI-Induced Embedded SiGe Strain Relaxation and Dual-Stress-Liner Boundary Proximity Effect
    Chung, Jayhoon ; Youn Sung Choi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-11-01), S. 2886-2891
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    The Impact of Layout-Dependent STI Stress and Effective Width on Low-Frequency Noise and High-Frequency Performance in Nanoscale nMOSFETs
    Yeh, Kuo-Liang ; Guo, Jyh-Chyurn
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-11-01), S. 3092-3100
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    Shallow-Trench-Isolation (STI)-Induced Mechanical-Stress-Related Kink-Effect Behaviors of 40-nm PD SOI NMOS Device
    Tsai, Cheng-Tzung ; Yeh, Chune-Sin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), S. 1558-1562
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    Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13-$\mu \hbox{m}$ RF nMOSFETs
    Chan, Chih-Yuan ; Juang, Ying-Zong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007), S. 3383-3392
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    Novel Negative <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$Vt$</tex></formula> Shift Phenomenon of Program–Inhibit Cell in <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$\hbox{2}X{-}\hbox{3}X\hbox{-}\hbox{nm}$</tex> </formula> Self-Aligned STI nand Flash Memory
    Hong, Sung-Joo ; Aritome, Seiichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-11-01), S. 2950-2955
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    Electrical Analysis of Mechanical Stress Induced by STI in Short MOSFETs Using Externally Applied Stress
    Bianchi, R.A. ; Robilliart, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-08-01), S. 1254-1261
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    Impact of Reducing STI-Induced Stress on Layout Dependence of MOSFET Characteristics
    Tainaka, Y. ; Ohta, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-03-01), S. 440-443
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    Physics-Based Analytical Model for HCS Degradation in STI-LDMOS Transistors
    Gnudi, Antonio ; Denison, Marie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), S. 3072-3080
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    Novel cell transistor using retracted Si/sub 3/N/sub 4/-liner STI for the improvement of data retention time in gigabit density DRAM and beyond
    Ha, Dae-Won ; Kim, Kinam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-06-01), S. 1152-1158
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    High-performance cell transistor design using metallic shield embedded shallow trench isolation (MSE-STI) for Gbit generation DRAM's
    Sim, Jai-Hoon ; Kim, Kinam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-06-01), S. 1212-1217
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    Anomalous junction leakage current induced by STI dislocations and its impact on dynamic random access memory devices
    Cho, Chang-hyun ; Chung, Tae-Young ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-05-01), S. 940-946
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    Erratum to 'Additional Nitrogen Ion-Implantation Treatment in STI to Relax the Intrinsic Compressive Stress for n-MOSFETs' [Aug 12 2033-2036]
    Yang, Chih-Chung ; Liao, Min-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), S. 1360-1360
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    Physical Insights Into the ESD Behavior of Drain Extended FinFETs (DeFinFETs) and Unique Current Filament Dynamics
    B. Sampath Kumar ; Shrivastava, Mayank ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), S. 2717-2724
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    Analytical Model Developed for Precise Stress Estimation of Device Channel Within Advanced Planar MOSFET Architectures
    Huang, Pei-Chen ; Lee, Chang-Chun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), S. 1498-1505
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    Thermal-Aware Shallow Trench Isolation Design Optimization for Minimizing <tex-math notation='LaTeX'>${I}_{OFF}$ </tex-math> in Various Sub-10-nm 3-D Transistors
    Jeon, Jongwook ; Myeong, Ilho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), S. 647-654
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