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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), S. 1414-1422
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    Displacement Damage Characterization of CMOS Single-Photon Avalanche Diodes: Alpha-Particle and Fast-Neutron Measurements
    Malherbe, Victor ; Serge De Paoli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 777-784
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    Single-Event Effects Characterization of LC-VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology
    Gu, Cheng ; Patel, Maulik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), S. 2042-2050
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    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation
    Chumakov, Alexander I. ; Shvetsov-Shilovskiy, I. I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), S. 1540-1546
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    Single-Event Upset Responses of Metal–Oxide–Metal Capacitors and Diodes Used in Bulk 65-nm CMOS Analog Circuits
    Andeen, Timothy ; Parsons, John ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-04-01), S. 698-707
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Photodiode Implant Dose
    Belloir, Jean-Marc ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1671-1681
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    Displacement Damage in CMOS Image Sensors After Thermal Neutron Irradiation
    Sergio Gabriel Suarez ; Fabricio Alcalde Bessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-11-01), S. 2793-2801
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology
    Huang, Pengcheng ; Zhenyu, Wu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 177-183
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    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node
    Massengill, Lloyd W. ; Jiang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), S. 1866-1871
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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors
    Goiffon, Vincent ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020-07-01
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    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal
    Paillet, Philippe ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020-07-01
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology
    Zhenyu, Wu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 418-425
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Epitaxial Layer Thickness
    Estribeau, Magali ; Avon, Barbara ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 38-44
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    Combined Effects of Total Ionizing Dose and Temperature on a K-Band Quadrature LC-Tank VCO in a 32 nm CMOS SOI Technology
    Fleetwood, Daniel M. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 204-211
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation
    Ozawa, Osamu ; Akahori, Tomoyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), S. 1835-1845
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    Recoil-Ion-Induced Single Event Upsets in Nanometer CMOS SRAM Under Low-Energy Proton Radiation
    Zhenyu, Wu ; Huang, Pengcheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 654-664
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    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor
    Stefanov, Konstantin D. ; Holland, Andrew D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1107-1113
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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