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    Plasma-excited MBE—proposal and achievements through R&D of compound semiconductor materials and devices
    Yamaguchi, Tomohiro ; Nanishi, Yasushi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022), S. SA0810
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Substrate misorientation effect on be transport during MBE growth of GaAs
    MOCHIZUKI, K ; GOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. 1235-1239
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preferential PtSi formation in thermal reaction between Pt and Si0.8Ge0.2 MBE layers
    KANAYA, H ; CHO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 6, S. L850- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of substrate misorientation of surface morphology of Be-doped GaAs grown by MBE
    MOCHIZUKI, K ; GOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. L1046- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Investigation of growth parameters for ScAlN-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
    Schütt, S. ; Müller, Stefan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1045
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Plasma assisted-MBE of GaN and AlN on graphene buffer layers
    Borisenko, D. P. ; Labunov, V. A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1046
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Realization of GaN PolarMOS using selective-area regrowth by MBE and its breakdown mechanisms
    Nomoto, Kazuki ; Rouvimov, Sergei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-20), S. SCCD15
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Metal-covered van der Waals epitaxy of gallium nitride films on graphitic substrates by ECR-MBE
    Mouri, Shinichiro ; Arakawa, Shingo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SC1053
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Can we always control the thickness layer in the MBE method with atomic precision? Analysis of the problem on the MQWs GaN/AlN example
    Borysiuk, Jolanta ; Sobczak, Kamil
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-04-08), S. 050901-50901
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Detailed analysis and performance limiting mechanism of Si delta-doped GaAs tunnel diode grown by MBE
    Yong Tak Lee ; Gun Wu Ju ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-10-30), S. 120306-120306
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Two dimensional photonic crystal nanocavities with InAs/GaAs quantum dot active regions embedded by MBE regrowth
    Watanabe, Katsuyuki ; Ota, Yasutomo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-07-12), S. 08PD03
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Demonstration of zero bias responsivity in MBE grown β-Ga2O3 lateral deep-UV photodetector
    Krishnamoorthy, Sriram ; Nath, Digbijoy N. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-05-22), S. 060313-60313
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ultra-high throughput of GaAs and (AlGa)As layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) with a specially designed MBE system
    SONODA, T ; ITO, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 3, S. 337-343
    academicJournal
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    Structural and Optical Properties of InGaAs Ridge Quantum Wire Arrays with Sub-micron Pitches Grown by Selective MBE on InP Substrates
    Hasegawa, Hideki ; Muranaka, Tsutomu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-04-30), S. 2683-2688
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth and characterization of MBE-grown (Bi1− x Sb x )2Se3 topological insulator
    Qiu, Huaili ; Jung-Chun Andrew Huang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-06-15), S. 070311-70311
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Abnormal variation of the growth rate under high NH3injected regime in the growth of GaN by NH3-source MBE
    Lee, Sangtae ; Cho, Youngji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-02-10), S. 035504-35504
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Highly uniform, high-purity GaAs epitaxial layer grown by MBE using triethylgallium and arsenic
    SAITO, J ; ONO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 6, S. L1144- (4S.)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Influence of gallium sources on impurity doping in gas source MBE GaAs
    MISAWA, S ; OKUMURA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. 1088-1091
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MBE-grown InGaAsP solar cells with 1.0 eV bandgap on InP(001) substrates for application to multijunction solar cells
    Matsubara, Koji ; Sugaya, Takeyoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-07-28), S. 08KE10
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
    Ishikawa, Fumitaro ; Sasaki, Takuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-04-05), S. 05FB05
    Online unknown
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