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    Single chip integration of MWCNTs/SiO2 thin film humidity sensor based on standard CMOS IC process
    TUO, LI ; XIAOWEI, LIU ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 155-158
    academicJournal
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    An integrated electroless nickel plating process for fabrication of CMOS-MEMS probe chip
    LEE, Kuo-Yu ; HUANG, Jung-Tang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 113 (2013), S. 147-151
    academicJournal
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    Resistive humidity microsensor with circuit manufactured by the CMOS process
    YANG, Ming-Zhi ; DAI, Ching-Liang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 81-85
    academicJournal
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    Impact of nitrogen post deposition annealing on hafnium zirconate dielectrics for 32 nm high- performance SOI CMOS technologies
    KELWING, T ; NAUMANN, A ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 2, S. 141-144
    academicJournal
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    Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization
    Demirci, Tugba ; Leblebici, Yusuf ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 214 (2019-06-01), S. 74-80
    Online unknown
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    Thermal stress analysis for a CMOS-MEMS microphone with various metallization and materials
    Yeh, Meng-Kao ; Lu, Chun-Lin
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 213 (2019-05-01), S. 47-54
    Online unknown
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    Improved digital performance of hybrid CMOS inverter with Si p-MOSFET and InGaAs n-MOSFET in the nanometer regime
    Tewari, Suchismita ; De, Suchismita ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 211 (2019-04-01), S. 18-25
    Online unknown
    Zugriff:
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    Digital image correlation of SEM images for surface deformation of CMOS IC
    Tzu Ching Chen ; Lin, Ming-Tzer ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 201 (2018-12-01), S. 16-21
    Online unknown
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-01), S. 45-50
    Online unknown
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    Evaluation of a PECVD advanced barrier (k=3.7) for 32nm CMOS technology and below : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Chapelon, L. L. ; Petitprez, E. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2624-2628
    Konferenz
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    Characterization of CMOS sub-65nm metallic contact by laser scattering: Thermal stability of Ni(Si1-xGex) : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Arrazat, B. ; Danel, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2558-2562
    Konferenz
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    SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Sedky, S.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2491-2500
    Konferenz
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    Fabrication and characterization of a hammer-shaped CMOS/BEOL-embedded nanoelectromechanical (NEM) relay
    Uranga, Arantxa ; Torres, F. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 192 (2018-05-01), S. 44-51
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fully CMOS-compatible top-down fabrication of sub-50 nm silicon nanowire sensing devices
    GEORGIEV, Yordan M ; PETKOV, Nikolay ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 118 (2014), S. 47-53
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ta/TiN midgap full-metal single gate fabrication using combined chlorine-based plasma and highly selective chemical metal etching for decananometer CMOS technology
    ZHENKUN, CHEN ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 97 (2012), S. 280-284
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A comprehensive study of various etch processes for the removal of silicide-block-film in submicron CMOS technologies
    RUI, LI ; JUN, WANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 11, S. 3270-3274
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process
    Chen, S.H. ; Brown, Gail J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 330-334
    Online unknown
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance Microscopy
    Richter, Mirco ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 142 (2015-07-01), S. 40-46
    Online unknown
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    On the scaling of subnanometer EOT gate dielectrics for ultimate nano CMOS technology
    Iwai, Hiroshi ; Wong, Hei
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 138 (2015-04-01), S. 57-76
    Online unknown
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    Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies
    Jordan-Sweet, Jean ; Nummy, Karen A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 137 (2015-04-01), S. 79-87
    Online unknown
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