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    Silicon nanowires integrated with CMOS circuits for biosensing application
    JAYAKUMAR, G ; ASADOLLAHI, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 98 (2014), S. 26-31
    academicJournal
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    High-performance integrated inductor and effective crosstalk isolation using post-CMOS selective grown porous silicon (SGPS) technique for RFIC applications
    CHEN, LI ; HUAILIN, LIAO ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 6, S. 989-994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Interconnect effects on thermal resistance of CMOS-SOI transistors in microwave power integrated circuits
    Alluri, Sravya ; Jayamon, Jefy A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108149-108149
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Large-scale CMOS-compatible process for silicon nanowires growth and BC8 phase formation
    Quaranta, S. ; Irrera, Fernanda ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108093-108093
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Integrated on-chip solid state capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers, grown using a CMOS temperature compatible process
    Andersson, Rickard ; Desmaris, Vincent ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 75-79
    Online unknown
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    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process
    Chen, Diping ; Zeng, Yun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
    Online unknown
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    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Virtually dopant-free CMOS: Midgap Schottky-barrier nanowire field-effect-transistors for high temperature applications
    WESSELY, F ; KRAUSS, T ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 91-96
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS compatible self-aligned S/D regions for implant-free InGaAs MOSFETs
    CZORNOMAZ, L ; EL KAZZI, M ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 71-76
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process
    Jin, Hao ; Zhong, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 80-87
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
    Xu, Gaobo ; Xiaoxun, Wang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 26-32
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Novel logic device for CMOS standard I/O cell with tolerance to total ionizing dose effects
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Minwoong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 162 (2019-12-01), S. 107630-107630
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors
    Kwon, Sung-Kyu ; Song, Hyeong-Sub ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    In-situ heater for thermal assist recovery of MOS devices in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Galy, Ph. ; Lethiecq, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01), S. 107737-107737
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS compatible on-chip decoupling capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers
    Desmaris, Vincent ; Amin M Saleem ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 107 (2015-05-01), S. 15-19
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fabrication of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project wafer CMOS chip
    Inomata, K. ; Tanaka, Masaaki ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 102 (2014-12-01), S. 52-58
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Well-behaved 4H-SiC PMOSFET with LOCal oxidation of SiC (LOCOSiC) isolation structure and compromised gate oxide for Sub-10V SiC CMOS application
    Chia Lung Hung ; Bing Yue Tsui
    In: Solid-State Electronics, Jg. 166 (2020-04-01), S. 107774-107774
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low temperature characterization of mobility in 14 nm FD-SOI CMOS devices under interface coupling conditions
    Mouis, Mireille ; Shi, Ming ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 108 (2015-06-01), S. 30-35
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Proximity gettering of slow diffuser contaminants in CMOS image sensors
    Liverani, Massimo ; Moccia, G. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 91-99
    Online unknown
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