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    Ultra compact multi-standard low-noise amplifiers in 28 nm CMOS with inductive peaking
    Ellinger, Frank ; Belfiore, Guido ; et al.
    2018
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    20–25 Gbit/s low-power inductor-less single-chip optical receiver and transmitter frontend in 28 nm digital CMOS
    Belfiore, Guido ; Szilagyi, Laszlo ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Theoretical investigation of new quantum-cross-structure device as a candidate beyond CMOS
    Ishibashi, Akira ; Kondo, Kenji ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 1067 (2008-06-11), S. 1067-1067
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process
    Zanoni, Enrico ; Posthuma, Niels ; et al.
    2018
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Ge-on-Si photonics for mid-infrared sensing applications
    Giliberti, Valeria ; MacLaren, Ian ; et al.
    2016
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and Current-Voltage Characteristics of Ni Spin Quantum Cross Devices with P3HT:PCBM Organic Materials
    Kawaguchi, Nobuyoshi ; Ishimaru, Manabu ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 1252 (2010), S. 1252-1252
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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