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    Research and Design of X-band Low Noise Amplifier Based on CMOS Process
    Ma, Chao ; Sun, Haitao ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2108 (2021-11-01), S. 012102-12102
    Online unknown
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    Characterization of a large-area full-field X-ray fluorescence imaging system based on a commercial full-frame CMOS camera
    Ouyang, X. ; Chen, Zuyao ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-10-01), S. P10031
    Online unknown
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    High spatial resolution neutron detection technique based on Commercial Off-The-Shelf CMOS image sensors covered with NaGdF_4 nanoparticles
    M. Gómez Berisso ; Lipovetzky, Jose ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-08-01), S. P08008
    Online unknown
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    Basic study on evaluation of X-ray dose distribution using plastic scintillator plate and digital CMOS camera
    Yoshitani, Hiroshi ; Anam, Choirul ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1943 (2021-07-01), S. 012058-12058
    Online unknown
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    Slot-die coating of silicon ink for volume production of CMOS polysilicon TFTs
    Ito, Mao ; Kamath, Arvind
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-09-13), S. 101001-101001
    Online unknown
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    Demonstration of 4H-SiC CMOS circuits consisting of well-balanced n- and p-channel MOSFETs fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation
    Moges, Kidist ; Shimura, Takayoshi ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 14 (2021-08-24), S. 091006-91006
    Online unknown
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    High performance infrared detectors compatible with CMOS-circuit process*
    Dai, Ning ; Wang, Chao ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021-05-01), S. 050702-50702
    Online unknown
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    Hybrid MEMS-CMOS ion traps for NISQ computing
    Matthew Glenn Blain ; Nordquist, Christopher D. ; et al.
    In: Quantum Science and Technology, Jg. 6 (2021-06-17), S. 034011-34011
    Online unknown
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    CMOS-MEMS technologies for the applications of environment sensors and environment sensing hubs
    Thi Thu Do ; Yang, Chia-Hung ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 31 (2021-06-10), S. 074004-74004
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A latch-up-free LVTSCR with improved overshoot characteristic for ESD protection in 40 nm CMOS process
    Liu, Zhiwei ; Liu, Hongxia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-05-26), S. 065025-65025
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Silicon electro-optic micro-modulator fabricated in standard CMOS technology as components for all silicon monolithic integrated optoelectronic systems *
    Xu, Kaikai
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 31 (2021-04-09), S. 054001-54001
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Linear 0.98 mV Low-Dropout Voltage Regulator in 0.18-μm CMOS Technology
    Sapawi, Rohana ; Harun, Azizi ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1755 (2021-02-01), S. 012049-12049
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    Realization of wafer-scale single-crystalline GaN film on CMOS-compatible Si(100) substrate by ion-cutting technique
    Mu, Fengwen ; Xu, Wenhui ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-10-13), S. 125004-125004
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-10-01), S. 102301-102301
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A detailed simulation study on the effect of energy and angle of incidence for low energy protons on Single Event Upsets induced in nanometer CMOS SRAM
    G R Raisali ; Moslehi, A. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-03-09), S. P03015
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Robust semiconductor-on-ferroelectric structures with hafnia–zirconia–alumina UTBOX stacks compatible with CMOS technology
    Tyschenko, Ida E. ; Rogozhin, A. E. ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2021-03-08), S. 225101-225101
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Physical vapor deposited 2D bismuth for CMOS technology
    Sun, Xinghao ; Tao, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-08-01), S. 081001-81001
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Active tunable THz metamaterial array implemented in CMOS technology
    Xu, Yong ; Ruan, Cunjun ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2020-12-16), S. 085107-85107
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18 μm CMOS process
    Wu, Jianwei ; Yu, Zongguang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-12-01), S. 122403-122403
    Online unknown
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    Neutron induced noise degradation of ASICs in 350 nm CMOS technology
    Yaoguang, Liu ; Ying, Zhang ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-10-19), S. T10005
    Online unknown
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