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    InGaAs MOSHEMT W-Band LNAs on Silicon and Gallium Arsenide Substrates
    Thome, Fabian ; Leuther, Arnulf ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-11-01), S. 1089-1092
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    A Ka-Band MMIC LNA in GaN-on-Si 100-nm Technology for High Dynamic Range Radar Receivers
    Pier Andrea Traverso ; Santarelli, Alberto ; et al.
    2021
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    A Broadband 70–110-GHz E-/W-Band LNA Using a 90-nm T-Gate GaN HEMT Technology
    Kobayashi, Kevin W. ; Kumar, Vipan
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-07-01), S. 885-888
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    Degradation of Ka-Band GaN LNA Under High-Input Power Stress: Experimental and Theoretical Insights
    Zhang, Shiyong ; Tong, Xiaodong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5091-5096
    Online unknown
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    A 25-31 GHz LNA in GaAs 0.15-μm pHEMT
    Wang, Huei ; Wang, Yunshan ; et al.
    In: 2021 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2021-08-25
    Online unknown
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    Thermal Burnout Effect of a GaAs PHEMT LNA Caused by Repetitive Microwave Pulses
    Du, Zhengwei ; Yi, Shipeng
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 47 (2019-10-01), S. 4620-4627
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    D-band LNA using a 40-nm GaAs mHEMT technology
    Cleriti, R ; Renvoise, M. ; et al.
    2017
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    A High Linearity W-Band LNA With 21-dB Gain and 5.5-dB NF in 0.13 μm SiGe BiCMOS
    Chen, Jixin ; Li, Huanbo ; et al.
    In: 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), 2021-01-12
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    A 10 mW LNA with Temperature Compensation for 24 GHz Radar Applications in SiGe BiCMOS
    Werthof, A. ; Issakov, Vadim
    In: 2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2020-11-16
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    Robust-5W Reconfigurable S/X-band GaN LNA using a 90nm T-gate GaN HEMT Technology
    Chen, Shuoqi ; Jimenez, Jose L. ; et al.
    In: 2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2020-11-16
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    Sub-20-K noise temperature LNA for 67–90 GHz frequency band
    Kooi, Jacob ; Kangaslahti, Pekka ; et al.
    2017
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Interactions between ZnO Nanoparticles (NPs) and α-Linolenic Acid (LNA) Complexed to BSA Did Not Influence the Toxicity of ZnO NPs on HepG2 Cells
    Xiao, Aiping ; Liu, Liangliang ; et al.
    In: Nanomaterials; Volume 7; Issue 4; Pages: 91, 2017-04-24
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    A 6-mW W-Band LNA in 0.13µm SiGe BiCMOS for Passive Imaging Systems
    Gurbuz, Yasar ; Kaynak, Mehmet ; et al.
    In: 2020 IEEE 63rd International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), 2020-08-01
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    X- to Ka- Band Cryogenic LNA Module for Very Long Baseline Interferometry
    Barsky, Michael E. ; Bowen, James ; et al.
    In: 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020-08-01
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    A 300-µW Cryogenic HEMT LNA for Quantum Computing
    Stenarson, Jörgen ; Wadefalk, Niklas ; et al.
    In: 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020-08-01
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    13.6 - 24 GHz LNA Design for Radio Astronomy using a Commercially Available 100 nm GaAs pHEMT Process
    McGenn, William ; Fuller, Gary A. ; et al.
    In: 2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2019-12-01
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    18-44GHz K/Ka-band Robust-35.5dBm Reconfigurable 90nm GaN HEMT LNA
    Cao, Yu ; Kobayashi, Kevin W. ; et al.
    In: 2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2020-11-16
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    Noise Resistance Estimation for a GaN JFET Using Small Signal Measurements for an X-band LNA
    Vazouras, Christos ; Lessi, Christina C. ; et al.
    In: 2020 27th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and System (MIXDES), 2020-06-01
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    A W-Band LNA/Phase Shifter With 5-dB NF and 24-mW Power Consumption in 32-nm CMOS SOI
    Sayginer, Mustafa ; Rebeiz, Gabriel M.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 66 (2018-04-01), S. 1973-1982
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    The Influence of Microwave Pulse Width on the Thermal Burnout Effect of an LNA Constructed by the SiGe HBT
    Hou, Lun ; Du, Zhengwei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 59 (2017-02-01), S. 163-171
    Online unknown
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