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    A 30-to-41 GHz SiGe Power Amplifier With Optimized Cascode Transistors Achieving 22.8 dBm Output Power and 27% PAE
    Zhang, Hao ; Li, Ling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1158-1162
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    A +7.6 dBm IIP3 2.4-GHz Double-Balanced Mixer With 10.5 dB NF in 65-nm CMOS
    Yavari, Mohammad ; Milad Haghi Kashani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-10-01), S. 3214-3218
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    A highly rugged 19 dBm 28GHz PA using novel PAFET device in 45RFSOI technology achieving peak efficiency above 48%
    Veeramani, Elanchezhian ; Kumar, Arvind ; et al.
    In: 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020-08-01
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    Ethanol catalytic optical driven deposition for 1D and 2D materials with ultra-low power threshold of 0 dBm
    Wu, Kan ; Wang, Hao ; et al.
    In: Optics Communications, Jg. 406 (2018), S. 18-23
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    An 0.4–2.8 GHz CMOS Power Amplifier With On-Chip Broadband-Pre-Distorter (BPD) Achieving 36.1–38.6% PAE and 21 dBm Maximum Linear Output Power
    Yusman Mohd. Yusof ; Rajendran, Jagadheswaran ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 48831-48840
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    A 0.13 THz Amplifier Integrated with a frequency doubler for a 0.26 THz 0 dBm output power
    Chen, Jixin ; Baltus, Peter ; et al.
    2019
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    A 25.1 dBm 25.9-dB Gain 25.4% PAE X-band Power Amplifier Utilizing Voltage Combining Transformer in 65-nm CMOS
    Park, Jung-Dong ; Trinh, Van-Son
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 6513-6521
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    A Compact E-Band PA with 22.37% PAE 14.29 dBm Output Power and 26 dB Power Gain with Efficiency Enhancement at Power Back-off
    Wang, Yan ; Chen, Liang ; et al.
    In: 2019 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2019-06-01
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    27 dB gain III-V-on-silicon semiconductor optical amplifier with17 dBm output power
    Roelkens, Gunther ; Wang, Ruijun ; et al.
    In: Optics express, Jg. 27 (2019-01-16), Heft 1
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    A Compact 24-32 GHz Linear Upconverting Mixer with -1.5 dBm OP1dB using 0.13-μ SiGe BiCMOS Process
    Albrecht, John D. ; Ahmet Cagri Ulusoy ; et al.
    In: 2019 IEEE 19th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2019
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    Compact Transformerless K-Band PA with more than 33% PAE and 14.8 dBm Output Power in 65 nm Bulk CMOS
    Boeck, Georg ; Vehring, Soenke
    In: 2018 25th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2018-12-01
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    A 273.5–312-GHz Signal Source With 2.3 dBm Peak Output Power in a 130-nm SiGe BiCMOS Process
    Zhou, Peigen ; Hou, Debin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Jg. 10 (2020-05-01), S. 260-270
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    A 26 dBm 39 GHz Power Amplifier with 26.6% PAE for 5G Applications in 28nm bulk CMOS
    Jaussi, James E. ; Casper, Bryan K. ; et al.
    In: 2019 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2019-06-01
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Power Flip-Chip Bonded Modified Uni-Traveling Carrier Photodiodes with −2.6 dBm RF Output Power at 160 GHz
    Estrella, Steven ; Woodson, Maddy ; et al.
    In: 2018 IEEE Photonics Conference (IPC), 2018-09-01
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 5–15 GHz stacked I/Q modulator with 15–19 dBm OP1dB and 26–30 dBm OIP3 in 45 nm SOI CMOS
    Zihir, Samet ; Rebeiz, Gabriel M.
    In: 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 2017-10-01
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 1.5–2.8 GHz current-mode LNTA achieving >25 dBm IIP3 and +8 dBm P-1dB gain compression
    Castello, Rinaldo ; Manstretta, Danilo ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 86 (2019-04-01), S. 57-64
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    A 16.3 dBm 14.1% PAE 28-dB Gain $W$ -Band Power Amplifier With Inductive Feedback in 65-nm CMOS
    Park, Jung-Dong ; Trinh, Van-Son
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-02-01), S. 193-196
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    A 253–280 GHz Wide Tuning Range VCO with -3.5 dBm Peak Output Power in 40-nm CMOS
    Yoo, Junghwan ; Rieh, Jae-Sung ; et al.
    In: ESSCIRC 2021 - IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2021-09-13
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    A 40-GHz Power Amplifier With Output Power of 15.2 dBm in 65-nm CMOS
    Wang, Xu ; Jia, Junhao ; et al.
    In: 2021 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS), 2021-05-23
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    A 95 GHz bandwidth 12 dBm output power distributed amplifier in InP-DHBT technology for optoelectronic applications
    Heinrich, Wolfgang ; Weimann, Nils ; et al.
    In: 2018 11th German Microwave Conference (GeMiC), 2018-03-01
    Online unknown
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