Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
173 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

173 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model
    Soin, Norhayati ; Mohamed Mounir Mahmoud
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Single-event transient effects on dynamic comparator in 28 nm FDSOI CMOS technology
    Lirida Alves de Barros Naviner ; Cai, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 965-968
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Jacquier, Blaise ; Haendler, Sebastien ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01), S. 114370-114370
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Study of the operation and SET robustness of a CMOS pulse stretching circuit
    Kraemer, Rolf ; Andjelkovic, Marko ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 100-112
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    CMOS micro-heater design for direct integration of carbon nanotubes
    Aasmundtveit, Knut E. ; Roy, Avisek ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 517-525
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process
    Wong, Hei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 20-25
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influences of silicon-rich shallow trench isolation on total ionizing dose hardening and gate oxide integrity in a 130 nm partially depleted SOI CMOS technology
    Hu, Zhiyuan ; Song, Lei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 74 (2017-07-01), S. 1-8
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses
    Michelis, Stefano ; Borghello, Giulio ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021), S. 114016-114016
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Monitoring of thermo-mechanical stress via CMOS sensor array: Effects of warpage and tilt in flip chip thermo-compression bonding
    Laor, Ari ; Mayer, Michael ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 73 (2017-06-01), S. 60-68
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Potentiality of healing techniques in hot-carrier damaged 28 nm FDSOI CMOS nodes
    Cacho, Florian ; Federspiel, Xavier ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 163-167
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Assessment of sense measurement duration on BTI degradation in MG/HK CMOS technologies using a novel stacked transistor test structure
    Kerber, Andreas
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 73 (2017-06-01), S. 153-157
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Temperature dependent Young's modulus and quality factor of CMOS-MEMS resonator: Modelling and experimental approach
    Ashraf, Khalid ; Mohammad Tariq Jan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 57 (2016-02-01), S. 64-70
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Heat dissipation assessment of through silicon via (TSV)-based 3D IC packaging for CMOS image sensing
    Chen, Wen-Hwa ; Cheng, Hsien-Chie ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 59 (2016-04-01), S. 84-94
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High performance SOI CMOS pixel sensor with surrounding N+ trench electrode
    Hu, Hai-fan ; Liu, Yun-tao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015), S. 42-47
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The transient analysis of latch-up in CMOS transmission gate induced by laser
    Xu, Zhongjie ; Qiu, Weicheng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014-12-01), S. 2775-2781
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Stress analysis of CMOS-MEMS microphone under shock loading by Taguchi method
    Lu, Chun-Lin ; Yeh, Meng-Kao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 824-828
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    HKMG CMOS technology qualification: The PBTI reliability challenge
    Ioannou, Dimitris P.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014-08-01), S. 1489-1499
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -