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    Modeling of CVD of silicon dioxide using TEOS and ozone in a single-wafer reactor
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 12, S. 3462-3472
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A theoretical/experimental study of silicon epitaxy in horizontal single-wafer chemical vapor deposition reactors
    KOMMU, S ; WILSON, G. M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 4, S. 1538-1550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective area chemical vapor deposition of Si1-xGexthin film alloys by the alternating cyclic method : A thermodynamic analysis. I. The system Si-Ge-Cl-H
    SOMAN, R ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4333-4341
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Kinetic modeling and dopant effect on silicon deposition : Low pressure and plasma assisted chemical vapor deposition
    MASI, M ; ZONCA, R ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 1, S. 103-110
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal model validation for rapid thermal chemical vapor deposition of polysilicon
    SCHAPER, C ; KAILATH, T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 1, S. 374-381
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Kinetic modeling of silane surface reactions
    ZUO, R ; NARUSAWA, U ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 5, S. 1625-1629
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of oxygen contamination on the deposition and etching properties of Si-H-Cl-O and Si-H-F-O systems
    CHAN-HWA, CHUNG ; SHI-WOO, RHEE ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 7, S. 2405-2410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis and modeling of in situ boron-doped polysilicon deposition by LPCVD
    FRESQUET, G ; AZZARO, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 2, S. 538-547
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A predictive model for the chemical vapor deposition of polysilicon in a cold wall, rapid thermal system
    TOPRAC, A. J ; TRACHTENBERG, I ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 6, S. 1658-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Selective area chemical vapor deposition of silicon by the alternating cyclic method : a thermodynamic analysis
    WANG, Q. S ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 2, S. 593-602
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Selective area chemical vapor deposition of Si1-xGexthin film alloys by the alternating cyclic method : A thermodynamic analysis. II. The system Si-Ge-Cl-H-Ar
    SOMAN, R ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4342-4344
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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