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    Control of arsenic doping during low temperature CVD epitaxy of silicon (100)
    VAN NOORT, Wibo D ; NANVER, L. K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4301-4304
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD epitaxial deposition in a vertical barrel reactor : process modeling and optimization using neural network models
    XING AN, WANG ; MAHAJAN, R. L
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 9, S. 3123-3132
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Transmission electron microscopy observation of the early growth stages of SiGe grown on Si substrates by conventional low-pressure CVD
    FUJINAGA, K
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 7, S. 2341-2346
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of H2 addition and growth temperature on CVD of SiC using hexamethyldisilane and Ar
    NORDELL, N ; NISHINO, S ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 2, S. 565-571
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of CVD of silicon dioxide using TEOS and ozone in a single-wafer reactor
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 12, S. 3462-3472
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A theoretical/experimental study of silicon epitaxy in horizontal single-wafer chemical vapor deposition reactors
    KOMMU, S ; WILSON, G. M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 4, S. 1538-1550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Process-property relationships of SiC chemical vapor deposition in the Si/H/C/O system
    RICHARDSON, C ; TAKOUDIS, C. G
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 9, S. 3270-3276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism of amorphous silica film formation from tetraethoxysilane in atomic oxygen-induced chemical vapor deposition
    WROBEL, A. M ; WALKIEWICZ-PIETRZYKOWSKA, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2866-2876
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crystal growth in silicon chemical vapor deposition from silane: The role of hydrogen
    TAO, M ; HUNT, L. P
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 6, S. 2221-2225
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition mechanism of silicon nitride in direct photoassisted chemical vapor deposition using a low-pressure Hg lamp
    YOSHIMOTO, M ; TAKUBO, K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 6, S. 1976-1982
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Oxygen incorporation during low temperature chemical vapor deposition growth of epitaxial silicon films
    SCHWARTZ, P. V ; STURM, J. C
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 5, S. 1284-1290
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effect of gas-phase additives C2H4, C2H6, and C2H2 on SiH4/O2 chemical vapor deposition
    TAKAHASHI, T ; HAGIWARA, K ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 4, S. 1355-1361
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In situ optical analysis of the gas phase during the deposition of silicon carbide from methyltrichlorosilane
    GANZ, M ; DORVAL, N ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 5, S. 1654-1661
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of boron diffusion in polysilicon/silicon systems with a thin Si-B layer as diffusion source
    CHEN, T. P ; LEI, T. F ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 2, S. 532-537
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Vertical distribution of lattice strain in polycrystalline silicon films grown on silicon dioxide
    TANIKAWA, Akio
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 8, S. G406- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The effect of DC voltage during bias-enhanced nucleation treatment on diamond film growth
    KANG, Dae-Hwan
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 8, S. J39- (5S.)
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigations of chemical vapor deposition of GaN using synchrotron radiation
    THOMPSON, Carol ; STEPHENSON, G. B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 5, S. C390- (5S.)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective area chemical vapor deposition of Si1-xGexthin film alloys by the alternating cyclic method : A thermodynamic analysis. I. The system Si-Ge-Cl-H
    SOMAN, R ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 11, S. 4333-4341
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of oxygen during selective silicon epitaxial growth using disilane and chlorine
    O'NEIL, P. A ; ÖZTÜRK, M. C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 6, S. 2344-2352
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Stimulated orientation of Si films by solid-phase recrystallization on a ZnS film/glass substrate
    UNAGAMI, T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 4, S. 1593-1596
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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