Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
14 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

14 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (1122) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire
    BENJAMIN, LEUNG ; QIAN, SUN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 341 (2012), Heft 1, S. 27-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Development of m-plane GaN anisotropic film properties during MOVPE growth on LiAlO2 substrates
    MAUDER, C ; REUTERS, B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 11, S. 1823-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar α-plane AIN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE
    WU, Jie-Jun ; KATAGIRI, Yusuke ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 14, S. 3801-3805
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effect of NH3 flow rate on m-plane GaN growth on m-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition
    QIAN, SUN ; YERINO, Christopher D ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 15, S. 3824-3829
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates by adding antimony
    MIURA, K ; NAGAI, Y ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 575-578
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Growth of InN nanocolumns by RF-MBE
    NISHIKAWA, S ; NAKAO, Y ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 490-495
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy
    JIE, ZHAO ; YIPING, ZENG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 329 (2011), Heft 1, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE
    RAJPALKE, Mohana K ; BHAT, Thirumaleshwara N ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 314 (2011), Heft 1, S. 5-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth of epitaxial ZnO films on Si (1 1 1) substrates with Cr compound buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    KIM, Jung-Hyun ; SEOK KYU, HAN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 15, S. 2190-2195
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AIN Buffer Layers
    DAI, J. N ; WU, Z. H ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 38 (2009), Heft 9, S. 1938-1943
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of off-cut angle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE
    WU, Jie-Jun ; OKUURA, Kazukeru ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 20, S. 4473-4477
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of high-quality ZnO single crystals by seeded CVT using the newly designed ampoule
    HONG, Sang-Hwui ; MIKAMI, Makoto ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 14, S. 3609-3612
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate grown by flow-rate modulation epitaxy
    KOBAYASHI, Y ; NAKAMURA, T ; et al.
    In: Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, 22-26 May 2006, Jg. 298 (2007), S. 325-327
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Surface characterization of NdF3 layers on Si(1 1 1) substrates grown by molecular beam epitaxy
    KO, J. M ; INABA, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 155-160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -