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    Effect of ammonium halide salts on wet chemical nanoscale etching and polishing of InGaAs surfaces for advanced CMOS devices
    Samanta, Suprakash ; Jin, Seungwan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 161 (2023-07-01), S. 107469-107469
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    Hydrogen diffusion behavior in CH2P-molecular-ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors
    Kobayashi, Koji ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 137 (2022), S. 106211-106211
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    N- and p-type doping of transition-metal dichalcogenides by Ar plasma treatment and its application in CMOS
    He, Jiaoyan ; Wen, Yuanbo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 158 (2023-05-01), S. 107347-107347
    Online unknown
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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
    Liu, Bo ; Song, Sannian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-01), S. 326-331
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    CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices
    Czajka, Ryszard ; El-Ahmar, Semir ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 67 (2017-08-01), S. 92-97
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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter
    Prasanna Kumar Sahu ; Soumya Ranjan Panda ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
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    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies
    Rozé, F. ; Baron, Thierry ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 105-110
    Online unknown
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    Pareto ANOVA analysis for CMOS 0.18µm two-stage Op-amp
    Yusop, N. ; Nissar Mohammad Karim ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 24 (2014-08-01), S. 9-14
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    CMOS compatible pyroelectric materials for infrared detectors
    Ranu, null ; Uthra, B ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 140 (2022-03-01), S. 106375-106375
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    Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25μm heterostructure CMOS process
    Cullis, A. G. ; O'Neill, Anthony ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 343-346
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    A simple CMOS process compatible high performance parallel-stacked spiral inductor for advanced RF analog circuit applications
    Lin, Chun-Sheng ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 13 (2010-09-01), S. 189-192
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    Application of Ru-based gate materials for CMOS technology
    Roozeboom, Fred ; Hooker, J.C. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 271-276
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    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Ferrari, S. ; Machajdík, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 265-269
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    Process integration of infrared-sensitive PIN photodiodes and CMOS transistors in a single-SiGe substrate
    Nebrich, L. ; Bensch, Frank ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 429-433
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    Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65nm technology and beyond
    Kimizuka, Naohiko ; Tsuneki, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), S. 860-869
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    Temperature scaling for 35nm gate length high-performance CMOS
    Horstmann, Manfred ; Greenlaw, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 369-374
    Online unknown
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    Jet vapor deposition nitride processing and application to advanced CMOS devices for reduction of gate leakage current and boron penetration
    Khare, M. ; Hartig, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 3 (2000-06-01), S. 173-178
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    Epitaxial anatase HfO2 on high-mobility substrate for ultra-scaled CMOS devices
    Wiemer, Claudia ; Fanciulli, Marco ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), S. 241-244
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    Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology
    Soltys, J. ; Pisecny, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 231-236
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    Work function control at metal–oxide interfaces in CMOS
    Tse, K. ; Robertson, John
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), S. 964-968
    Online unknown
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