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    MASTAR VA: A predictive and flexible compact model for digital performances evaluation of CMOS technology with conventional CAD tools
    LACORD, Joris ; GHIBAUDO, Gérard ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 137-146
    academicJournal
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    Statistical DOE―ILP based power―performance-process (P3) optimization of nano-CMOS SRAM
    MOHANTY, Saraju P ; SINGH, Jawar ; et al.
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 45 (2012), Heft 1, S. 33-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in logic CMOS process
    GOPALAN, C ; MA, Y ; et al.
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 54-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40 nm low-power CMOS technology
    HU, Chan-Yuan ; CHEN, Jone F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 564-567
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and analysis of a 32 nm PVT tolerant CMOS SRAM cell for low leakage and high stability
    SHENG, LIN ; KIM, Yong-Bin ; et al.
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 43 (2010), Heft 2, S. 176-187
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resilience Articulation Point (RAP): Cross-layer dependability modeling for nanometer system-on-chip resilience : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    HERKERSDORF, Andreas ; ALIEE, Hananeh ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1066-1074
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Real-time soft-error rate measurements: A review
    AUTRAN, J. L ; MUNTEANU, D ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 8, S. 1455-1476
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Novel RAM cell designs based on inherent capabilities of quantum-dot cellular automata
    MOSTAFA ABDOLLAHIAN, DEHKORDI ; ABBAS SHAHINI, SHAMSABADI ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 701-708
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low power options for 32 nm always-on SRAM architecture
    HAMOUCHE, Lahcen ; ALLARD, Bruno
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 83-95
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
    SASAKI, K. R. A ; NICOLETTI, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 97 (2014), S. 30-37
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Adaptive static and dynamic noise margin improvement in minimum-sized 6T-SRAM cells
    ALORDA, Bartomeu ; TORRENS, Gabriel ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 11, S. 2613-2620
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A journey towards reliability improvement of TiO2 based Resistive Random Access Memory: A review
    ACHARYYA, D ; HAZRA, A ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 3, S. 541-560
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Scaled X-bar TiN/HfO2/TiN RRAM cells processed with optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) for TiN electrode
    CHEN, Y. Y ; GOUX, L ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 112 (2013), S. 92-96
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Probability calculation of read failures in nano-scaled SRAM cells under process variations
    AGHABABA, Hossein ; EBRAHIMI, Behzad ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 52 (2012), Heft 11, S. 2805-2811
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    8T vs. 6T SRAM cell radiation robustness: A comparative analysis
    ALORDA, Bartomeu ; TORRENS, Gabriel ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 51 (2011), Heft 2, S. 350-359
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Device and circuit level suppression techniques for random-dopant-induced static noise margin fluctuation in 16-nm-gate SRAM cell
    LEE, Kuo-Fu ; YIMING, LI ; et al.
    In: 2009 International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS), Jg. 50 (2010), Heft 5, S. 647-651
    academicJournal
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