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    Electrically programmable nonvolatile memory in CMOS technology
    Ermakov, I. V. ; Shelepin, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-12-01), Heft 7, S. 449-452
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Modeling neutron ionization effects on high-density CMOS circuit elements
    Zebrev, G. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), Heft 3, S. 185-196
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stenin, V. Ya. ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), Heft 6, S. 368-379
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
    Online unknown
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    Simulation of the local effect of nuclear particles on 65-nm CMOS DICE memory cells
    V. Ya. Stenin ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 231-238
    Online unknown
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    Features of design of submicron CMOS of Static RAMs with an increased failure resistance to the effect of high-energy particles
    Cherkasov, I. G. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-03-01), S. 79-90
    Online unknown
    Zugriff:
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    Memory-cell layout as a factor in the single-event-upset susceptibility of submicron dice CMOS SRAM
    V. Ya. Stenin ; Cherkasov, I. G.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 170-175
    Online unknown
    Zugriff:
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    Dominant mechanisms of transient-radiation upset in CMOS RAM VLSI circuits realized in SOS technology
    Poljakov, I. V. ; Nikiforov, A. Y. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 162-176
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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