Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
11 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

11 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    CMOS-Compatible Replacement Metal Gate InGaAs-OI FinFET With $I_{ON}=156~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ at $V_{DD}= 0.5$ V and $I_{OFF}=100$ nA/$\mu \text{m}$
    Caimi, Daniele ; Deshpande, Veeresh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 169-172
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Titanium Silicide/Titanium Nitride Full Metal Gates for Dual-Channel Gate-First CMOS
    Murray, Conal E. ; Dechene, Jessica ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 150-153
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    An integratable dual metal gate CMOS process using an ultrathin aluminum nitride buffer layer
    Byung Jin Cho ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-05-01), S. 298-300
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A low-temperature metal-doping technique for engineering the gate electrode of replacement metal gate CMOS transistors
    Lin, Ming-Ren ; Besser, Paul R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-09-01), S. 547-549
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact of nitrogen (N/sub 14/) implantation into polysilicon gate on high-performance dual-gate CMOS transistors
    Kepler, Nick ; Yu, Bin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 18 (1997-07-01), S. 312-314
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Three-Layer laminated metal gate electrodes with tunable work functions for CMOS applications
    Kwong, Dim-Lee ; Mathew, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-04-01), S. 231-233
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Dual-metal gate CMOS technology with ultrathin silicon nitride gate dielectric
    Takeuchi, Hideki ; Yang, Kevin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-05-01), S. 227-229
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    p-Channel Ge MOSFET by Selectively Heteroepitaxially Grown Ge on Si
    Hyun Yong Yu ; Saraswat, Krishna C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-06-01), S. 675-677
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dual-work-function metal gates by full silicidation of poly-Si with Co-Ni bi-Layers
    Kwong, Dim-Lee ; Lu, J.P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-04-01), S. 228-230
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Variability Analysis of TiN Metal-Gate FinFETs
    Yamauchi, Hiromi ; Ishikawa, Yuki ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-06-01), S. 546-548
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Work Function Tuning of Fully Silicided NiSi Metal Gates Using a TiN Capping Layer
    Sim, J.H. ; Wen, Huang-Chun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-09-01), S. 610-612
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -