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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Thermal and plasma treatments for improved (sub-)1 nm equivalent oxide thickness planar and FinFET-based replacement metal gate high-k last devices and enabling a simplified scalable CMOS integration scheme
    Vaesen, Inge ; Witters, Thomas ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-03-17), S. 04EA04
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    An experimental study of solid source diffusion by spin on dopants and its application for minimal silicon-on-insulator CMOS fabrication
    Matsukawa, Takashi ; Khumpuang, Sommawan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-04-20), S. 06GG01
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    Wide-Range Threshold Voltage Controllable Silicon on Thin Buried Oxide Integrated with Bulk Complementary Metal Oxide Semiconductor Featuring Fully Silicided NiSi Gate Electrode
    Morita, Yusuke ; Tsuchiya, Ryuta ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2585-2588
    Online unknown
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    Impact of Thermal Stability on the Characteristics of Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistors with TiN Metal Gate
    Ya Chen Kao ; Meng Fan Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-02-15), S. 546-551
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    Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits
    Cheng, Hui-Wen ; Li, Yiming
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DC22
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    Low-Standby-Power Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistors with TiN Single Gate on 1.8 nm Gate Oxide
    Matsuo, K. ; Suguro, Kyoichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-10-01), S. L1130- (3S.)
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    Dual-Metal Gate Technology with Metal-Inserted Full Silicide Stack and Ni-Rich Full Silicide Gate Electrodes Using a Single Ni-Rich Full Silicide Phase for Scaled High-kComplementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Kurosawa, Etsuo ; Nara, Yasuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C001
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    Highly Sensitive Gate/Body-Tied P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-Type Photodetector with an Overlapping Control Gate
    Jung, Joontaek ; Seo, Sang-Ho ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-01), S. 02BG06
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    Evaluation of Threshold-Voltage Variation in Silicon on Thin Buried Oxide Complementary Metal–Oxide–Semiconductor and Its Impact on Decreasing Standby Leakage Current
    Iwamatsu, Toshiaki ; Yoshimoto, Hiroyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C043
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    Impact of Gate Microstructure on Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Performance
    Hu, Chenming ; Kepler, Nick ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-09-01), S. L1150
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    Sub-30-nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Pt-Incorporated Fully Ni-Silicide/SiON Gate Stack
    Momiyama, Yoichi ; Fukutome, Hidenobu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DC16
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    Silicon-Atom Induced Fermi-Level Pinning of Fully Silicided Platinum Gates on HfO2 Dielectrics
    Nabatame, Toshihide ; Tominaga, Koji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2267-2267
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    Modeling of Time-Dependent Defect Generation during Constant Voltage Stress for Thin Gate Oxides of Submicron Metal–Oxide–Silicon Field-Effect Transistor
    Lee, Jae-Sung
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-01-18), S. 19-22
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    Differential multiple-time-programmable memory cells by laterally coupled floating metal gate fin field-effect transistors
    Hsu, Chia-Ling ; Chrong Jung Lin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-02-24), S. 04CE03
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    Increase in Drive Current by Pt/W Protection on Short-Channel Schottky Source/Drain Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with Metal Gate
    Asada, Masahiro ; Sato, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-09-01), S. 6038-6038
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