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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Measuring The Work Functions Of PVD TaN, TaSiN And TiSiN Films With A Schottky Diode CV Technique For Metal Gate CMOS Applications
    Christy Mei-Chu Woo ; Pan, James N. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 745 (2002)
    Online unknown
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    Molybdenum Gate Electrode Technology For Deep Sub-Micron CMOS Generations
    Ranade, Pushkar ; Lu, Qiang ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 670 (2001)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Gate-Prior-To-Isolation Cmos-Technology with Through-The-Gate-Implanted Ultra-Thin Gate Oxides
    Schwalke, Udo ; Innertsberger, Gudrun ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 567 (1999)
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dual Work Function CMOS Gate Technology Based on Metal Interdiffusion
    Hu, Chenming ; King, Tsu-Jae ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 670 (2001)
    Online unknown
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Self-Aligned Gate Metallization Processes with Low-Thermal Budget
    Lin, X. W. ; Weling, Milind
    In: MRS Proceedings, Jg. 514 (1998)
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Stacked Metal Layers as Gates for MOSFET Threshold Voltage Control
    Gao, Wei ; Yoshi Ono Sharp ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 765 (2003)
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of work function of CVD WSix thin film on high K dielectric
    Farjot, Thierry ; Maitrejean, Sylvain ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 786 (2003)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -