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    DFF Layout Variations in CMOS SOI—Analysis of Hardening by Design Options.
    Black, Jeffrey D. ; Black, Dolores A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1125-1132
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Volltext
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    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs.
    Carbonetto, S. ; GarcianInza, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3466-3471
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes.
    Lipovetzky, J. ; Garcia-Inza, M. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-10), Heft 6, S. 4683-4691
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Mechanisms of Noise Degradation in Low Power 65 nm CMOS Transistors Exposed to Ionizing Radiation.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3071-3077
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Damage Mechanisms and Their Effects on Noise Sources in a 90 nm CMOS Technology.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3272-3279
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Analysis of Charge Deposition and Collection Caused by Low Energy Neutrons in a 25-nm Bulk CMOS Technology.
    Abe, Shin-ichiro ; Watanabe, Yukinobu
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3519-3526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    TCAD Simulations on CMOS Propagation Induced Pulse Broadening Effect: Dependence Analysis on the Threshold Voltage.
    Mogollón, J. M. ; Palomo, F. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 1908-1914
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Assessment of a Low-Power 65 nm CMOS Technology for Analog Front-End Design.
    Manghisoni, Massimo ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 553-560
    Online academicJournal
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 418-425
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Survey of noise performances and scaling effects in deep submicrometer CMOS devices from different foundries.
    Re, Valerio ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-02), Heft 6, S. 2733-2740
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Worst-Case Test Vectors for Logic Faults Induced by Total Dose in ASICs Using CMOS Processes Exhibiting Field-Oxide Leakage.
    Abou-Auf, Ahmed A. ; Abdel-Aziz, Hamzah A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 1047-1052
    Online academicJournal
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    Evaluating the Influence of Various Body-Contacting Schemes on Single Event Transients in 45-nm SOI CMOS.
    Moen, Kurt A. ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3366-3372
    Online academicJournal
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    Noise Behavior of a 180 nm CMOS SOI Technology for Detector Front-End Electronics.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-02), Heft 4, S. 2408-2413
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Comparison of Ionizing Radiation Effects in 0.18 and 0.25 &um;m CMOS Technologies for Analog Applications.
    Manghisoni, Massimo ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 1827-1833
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparison of a BSIM3V3 and EKV MOSFET Model for a 0.5 μm CMOS Process and Implications for Analog Circuit Design.
    Terry, Stephen C. ; Rochelle, James M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-08-01), Heft 4, S. 915-920
    Online academicJournal
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    Single Event Gate Rupture in 130-nm CMOS Transistor Arrays Subjected to X-Ray Irradiation.
    Silvestri, Marco ; Gerardin, Simone ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 1842-1848
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Bias-Dependent Single-Event Compact Model Implemented Into BSIM4 and a 90 nm CMOS Process Design Kit.
    Kauppila, Jeffrey S. ; Sternberg, Andrew L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3152-3157
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS 110 Transistors and Circuits.
    McIain, Michael ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2210-2217
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    Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime.
    Re, Valerio ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2218-2226
    Online academicJournal
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