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    CMOS Ternary Logic With a Biristor Threshold Switch for Low Static Power Consumption.
    Han, Joon-Kyu ; Yu, Ji-Man ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-07-01), Heft 7, S. 1005-1008
    Online academicJournal
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    Abnormal On-Current Degradation Under Non-Conductive Stress in Contact Field Plate Lateral Double-Diffused Metal-Oxide- Semiconductor Transistor With 0.13-μm Bipolar-CMOS-DMOS Technology.
    Hung, Wei-Chun ; Tu, Yu-Fa ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-05-01), Heft 5, S. 769-772
    Online academicJournal
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    A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si.
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 935-938
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    THz Detection Using p+/n-Well Diodes Fabricated in 45-nm CMOS.
    Ahmad, Zeshan ; O, Kenneth K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), Heft 7, S. 823-826
    Online academicJournal
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    An E-Mode p-Channel GaN MOSHFET for a CMOS Compatible PMIC.
    Kumar, Ashwani ; De Souza, Maria Merlyne
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-10-01), Heft 10, S. 1449-1452
    Online academicJournal
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    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology.
    Chu, Rongming ; Cao, Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), Heft 3, S. 269-271
    Online academicJournal
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    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices.
    Kerber, A. ; McMahon, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), Heft 6, S. 749-751
    Online academicJournal
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    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS.
    Lee, Jian-Hsing ; Iyer, Natarajan Mahadeva ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), Heft 5, S. 623-625
    Online academicJournal
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    Random Telegraph Noise of a 28-nm Cryogenic MOSFET in the Coulomb Blockade Regime.
    Yang, Hee ; Bong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), Heft 1, S. 5-8
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    On the Impact of Through-Silicon-Via-Induced Stress on 65-nm CMOS Devices.
    Weerasekera, Roshan ; Li, Hong Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), Heft 1, S. 18-20
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or Thin BOX?
    Trivedi, V. P.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
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    Complimentary Single-Electron/Hole Action of Nanoscale SOI CMOS Transistors.
    Zhang, Yaohui ; Baron, Filipp A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-07-01), Heft 7, S. 492-494
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-κ/Metal-Gate Fully Depleted SOI CMOS With Single-Silicide Schottky Source/Drain With Sub-30-nm Gate Length.
    Khater, Marwan H. ; Zhang, Zhen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-04-01), Heft 4, S. 275-277
    Online academicJournal
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    Influence of Uniaxial Tensile Strain on the Performance of Partially Depleted SOI CMOS Ring Oscillators.
    Zhao, Wei ; Seabaugh, Alan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 52-54
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Bandgap Extraction at 10 K to Enable Leakage Control in Carbon Nanotube MOSFETs.
    Lin, Qing ; Pitner, Gregory ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-03-01), Heft 3, S. 490-493
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology.
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), Heft 4, S. 392-395
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Novel Approach to Reduce Source/Drain Series and Contact Resistance in High-Performance UTSOI CMOS Devices Using Selective Electrodeless.
    Pan, James ; Topol, Anna ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-08-01), Heft 8, S. 691-693
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    Nickel-Silicided Schottky Junction CMOS Transistors With Gate-All-Around Nanowire Channels.
    Tan, E. J. ; Pey, K. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-08-01), Heft 8, S. 902-905
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    In Situ Surface Passivation and CMOS-Compatible Palladium-Germanium Contacts for Surface-Channel Gallium Arsenide MOSFETs.
    Chin, Hock-Chun ; Zhu, Ming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-06-01), Heft 6, S. 553-556
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    Investigation and Localization of the SiGe Source/Drain (S/D) Strain-Induced Defects in PMOSFET With 45-nm CMOS Technology.
    Cheng, C. Y. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-05-01), Heft 5, S. 408-411
    Online academicJournal
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