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    Analog performance of the nanoscale double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor near the ultimate scaling limits.
    Jiménez, D. ; Iñíguez, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 5271-5276
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    Low-temperature solution-processed nanoparticle-doped nickel oxide thin-film transistor.
    Chen, Cihai ; Chen, Qizhen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-02-07), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Universal tunneling behavior in technologically relevant P/N junction diodes.
    Solomon, Paul M. ; Jopling, Jason ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-05-15), Heft 10, S. 5800-5812
    Online academicJournal
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    Design and demonstration of antenna-coupled Schottky diodes in a foundry complementary metal-oxide semiconductor technology for electronic detection of far-infrared radiation.
    Ahmad, Z. ; Lisauskas, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-21), Heft 19, S. N.PAG- (14S.)
    Online academicJournal
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    Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques.
    Chandrasekhar Rao, T. V. ; Antoszewski, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-02-01), Heft 3, S. 034503-34503
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    Compact models considering incomplete voltage swing in complementary metal oxide semiconductor circuits at ultralow voltages: A circuit perspective on limits of switching energy.
    Gupta, Sumeet Kumar ; Raychowdhury, Arijit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-05-01), Heft 9, S. 94901-94910
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    Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors.
    Leitz, C. W. ; Currie, M. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), Heft 7, S. 3745-3751
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    Quantum transport in a nanosize double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
    Croitoru, M. D. ; Gladilin, V. N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-08-15), Heft 4, S. 2305-2310
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    Validity of mobility universality for scaled metal-oxide-semiconductor field-effect transistors down to 100 nm gate length.
    Matsumoto, S. ; Hisamitsu, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-01), Heft 9, S. 5228-5232
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    Scalability of spin field programmable gate arrary: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor.
    Tanamoto, Tetsufumi ; Sugiyama, Hideyuki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), Heft 7, S. sxn7C31201- (3S.)
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    Electrical characteristics of gadolinium gallium oxide/gallium oxide insulators on GaAs and In0.53Ga0.47As in metal-oxide-semiconductor field effect transistors - admittance and subthreshold characteristics.
    Paterson, G. W. ; Bentley, S. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-09-01), Heft 5, S. 054103-54103
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    Carbon segregation as a strain relaxation mechanism in thin germanium-carbon layers deposited directly on silicon.
    Garcia-Gutierrez, D. I. ; José-Yacamán, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-08-15), Heft 4, S. 044323-44323
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    Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin SiO2 layers.
    Coffin, H. ; Bonafos, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-02-15), Heft 4, S. 044302-44302
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