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    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model.
    Mounir Mahmoud, Mohamed ; Soin, Norhayati
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of fin shape of tapered FinFETs on the device performance in 5-nm node CMOS technology.
    Kurniawan, Erry Dwi ; Yang, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 254-259
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process.
    Hu, Tao ; Dong, Shurong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 20-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative study of low-frequency noise in 0.18 μm and 0.35 μm gate-length nMOSFETs with gate area of 1.1 μm2.
    Hu, Chih-Chan ; Chau, Yuan-Fong Chou ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 10-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Symmetrical ESD trigger and pull-up using BIMOS transistor in advanced CMOS technology
    Galy, Ph. ; Bourgeat, J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-09-01), Heft 9/10, S. 1998-2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Substrate-engineered GGNMOS for low trigger voltage ESD in 65nm CMOS process
    Ma, Fei ; Han, Yan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-12-01), Heft 12, S. 2124-2128
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling the bulk-driven MOSFET into deca-nanometer bulk CMOS processes
    Urban, Christopher ; Moon, James E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-04-01), Heft 4, S. 727-732
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies
    La Rosa, Giuseppe ; Rauch, Stewart E.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-04-01), Heft 4/5, S. 552-558
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on NMOS-based power-rail ESD clamp circuits with gate-driven mechanism in a 0.13-μm CMOS technology
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-06-01), Heft 6, S. 821-830
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design optimization of gate-silicided ESD NMOSFETs in a 45nm bulk CMOS technology
    Alvarez, David ; Chatty, Kiran ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-12-01), Heft 12, S. 1417-1423
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Active defects in MOS devices on 4H-SiC: A critical review.
    Amini Moghadam, Hamid ; Dimitrijev, Sima ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Scaling and optimisation of lateral super-junction multi-gate MOSFET for high drive current and low specific on-resistance in sub–50 V applications.
    Adenekan, Olujide A. ; Holland, Paul ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 99 (2019-08-01), S. 213-221
    academicJournal
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    Compact model for single event transients and total dose effects at high temperatures for partially depleted SOI MOSFETs
    Alvarado, J. ; Boufouss, E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), Heft 9-11, S. 1852-1856
    academicJournal
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    Hot carrier and soft breakdown effects on LNA performance for ultra wideband communications
    Xiao, E. ; Ghosh, P.P. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-09-01), Heft 9-11, S. 1382-1385
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of inhomogeneous negative bias temperature stress on p-channel MOSFETs of analog and RF circuits
    Schlünder, Christian ; Brederlow, Ralf ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005), Heft 1, S. 39-46
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low frequency noise in 0.12 <f>μ</f>m partially and fully depleted SOI technology
    Dieudonné, François ; Haendler, Sébastien ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-02-01), Heft 2, S. 243-248
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improving ESD protection of 5 V NMOSFET large array device in 0.4 μm BCD process.
    Huang, Shao-Chang ; Chen, Hung-Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 48-54
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An improved reliability model for Si and GaN power FET.
    Golan, Gady ; Azoulay, Moshe ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 81 (2018-02-01), S. 77-89
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of dependence between time-zero and time-dependent variability in high-κ NMOS transistors.
    Hassan, Mohammad Khaled ; Roy, Kaushik
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 70 (2017-03-01), S. 22-31
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Phase displacement study in MOSFET based ring VCOs due to heavy-ion irradiation using 3D-TCAD and circuit simulation.
    Ponnambalam, Maran ; Vinodhkumar, N. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 65 (2016-10-01), S. 27-34
    academicJournal
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