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    Active tunable THz metamaterial array implemented in CMOS technology.
    Liu, Yongshan ; Sun, Tong ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 54 (2021-02-25), Heft 8, S. 1-11
    academicJournal
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    High efficiency grating couplers based on shared process with CMOS MOSFETs.
    Chao, Qiu ; Zhen, Sheng ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 22 (2013-02-01), Heft 2, S. 24212-1- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and modelling of MOSFET operating at cryogenic temperature for hybrid superconductor-CMOS circuits.
    Feng, Yijun ; Zhou, Peng ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-12-01), Heft 12, S. 1381-1385
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Top-down fabrication and electrical characterization of Si and SiGe nanowires for advanced CMOS technologies.
    Barraud, S ; Previtali, B ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    New CMOS compatible super-junction LDMOST with n-type buried layer.
    Bao, Duan ; Zhang Bo and ; et al.
    In: Chinese Physics, Jg. 16 (2007-12-01), Heft 12, S. 3754-3759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Physics-based analysis and simulation model of electromagnetic interference induced soft logic upset in CMOS inverter.
    Liu, Yu-Qian ; Chai, Chang-Chun ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 27 (2018-06-01), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-compatible batch processing of monolayer MoS2 MOSFETs.
    Xiong, Kuanchen ; Kim, Hyun ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 51 (2018-04-18), Heft 15, S. 1-1
    academicJournal
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    Extrinsic gate capacitance compact model for UTBB MOSFETs.
    Andrea G Martinez-Lopez ; Julio C Tinoco ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 33 (2018), Heft 1, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Performance enhancement of CMOS terahertz detector by drain current*.
    Zhang, Xingxing ; Ji, Xiaoli ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-15), Heft 9, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature passivation of silicon surfaces for enhanced performance of Schottky-barrier MOSFET.
    Molina-Reyes, Joel ; Cuellar-Juarez, Adriana Mercedes
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2024-03-04), Heft 10, S. 1-10
    academicJournal
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    Effects of drain-wall in mitigating N-hit single event transient via 45 nm CMOS process.
    X Y Xu ; Xiong, Y ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 30 (2015), Heft 1, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Embedded CMOS analogue IP core for SOC applications: an experimental case study.
    Zhu, Zhangming ; Yang, Yintang ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-08-01), Heft 8, S. L81
    Online academicJournal
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    Performance tunability of field-effect transistors using MoS<subscript>2(1−x)</subscript>Se<subscript>2x</subscript> alloys.
    Sanjay, Sooraj ; Ganapathi, Kolla Lakshmi ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-10-22), Heft 43, S. 1-10
    academicJournal
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    Off-state leakage in MOSFET considering source/drain extension regions.
    Hur, Jae ; Jeong, Woo Jin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021-08-01), Heft 8, S. 1-11
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhancement of Ge-based p-channel vertical FET performance by channel engineering using planar doping and a Ge/Si x Ge1–x–y Sn y heterostructure model for low power FET applications.
    Elogail, Yasmine ; Inga A Fischer ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 33 (2018-11-01), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A contact-lens-shaped IC chip technology.
    Liu, Ching-Yu ; Yang, Frank ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 24 (2014-04-01), Heft 4, S. 45025-45034
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Operation and scalability of dopant-segregated Schottky barrier MOSFETs with recessed channels.
    Shih, Chun-Hsing ; Hsia, Jui-Kai
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 28 (2013-11-01), Heft 11, S. 115008-115017
    Online academicJournal
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    Review on analog/radio frequency performance of advanced silicon MOSFETs.
    Passi, Vikram ; Raskin, Jean-Pierre
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-12-01), Heft 12, S. 1-1
    Online academicJournal
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    New insight into the parasitic bipolar amplification effect in single event transient production.
    Jian-Jun, Chen ; Shu-Ming, Chen ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 21 (2012), Heft 1, S. 1-6
    academicJournal
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    The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology.
    Jun-Rui, Qin ; Shu-Ming, Chen ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 20 (2011-12-01), Heft 12, S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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