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    Low and High V<subscript>t</subscript> GOTFET Devices Outperform Standard CMOS Technology in Ternary Logic Applications.
    Yadav, Ramakant ; Dan, Surya Shankar ; et al.
    In: IETE Technical Review, Jg. 39 (2022-09-01), Heft 5, S. 1114-1123
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low and High Vt GOTFET Devices Outperform Standard CMOS Technology in Ternary Logic Applications.
    Yadav, Ramakant ; Dan, Surya Shankar ; et al.
    In: IETE Technical Review, Jg. 39 (2022-09-01), Heft 5, S. 1114-1123
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    DTMOS Based Low Power Adaptively Biased Fully Differential Transconductance Amplifier with Enhanced Slew-Rate and its Filter Application.
    Mahendra, Mihika ; Kumari, Shweta ; et al.
    In: IETE Journal of Research, Jg. 69 (2023-06-01), Heft 6, S. 3288-3307
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Charge pump-based MOSFET-only 1.5-bit pipelined ADC stage in digital CMOS technology.
    Singh, Anil ; Agarwal, Alpana
    In: International Journal of Electronics, Jg. 103 (2016-10-01), Heft 10, S. 1713-1725
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dual material gate silicon on insulator junctionless MOSFET for low power mixed signal circuits.
    Wagaj, S. C. ; Patil, S. C.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 106 (2019-07-01), Heft 7, S. 992-1007
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 0.9-V, 4.4-mW CMOS LNA with wideband input match and high gain for UWB applications.
    Pandey, Sunil ; Gawande, Tushar ; et al.
    In: International Journal of Electronics Letters, Jg. 6 (2018-09-01), Heft 3, S. 329-337
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A simple high-gain CMOS voltage comparator circuit.
    Freitas, David A. ; Current, K. Wayne
    In: International Journal of Electronics, Jg. 57 (1984-08-01), Heft 2, S. 195-198
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Implementation of the unary operators in ternary logic: A universal CMOS circuit.
    Lloris, A. ; Cobo, A. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 52 (1982-04-01), Heft 4, S. 307-311
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    32 nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits.
    Rahimian, Morteza ; Orouji, Ali A. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 102 (2015-03-01), Heft 3, S. 347-361
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A novel structure of the fully differential CMOS amplifier with symmetric active load.
    Pavlović, Vlastimir D. ; Djordjević, Srdjan D.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 96 (2009-04-01), Heft 4, S. 331-349
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design and implementation of a 1-V transformer magnetic feedback low-noise amplifier (LNA) at 5-6 GHz, in a 90 nm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process.
    Kytonaki, Eleni-Sotiria ; Simitsakis, Paschalis ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 98 (2011-02-01), Heft 2, S. 235-248
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Circuit Level Implementation for Insulated Shallow Extension Silicon on Nothing (ISE-SON) MOSFET: A Novel Device Architecture.
    Kumari, Vandana ; Saxena, Manoj ; et al.
    In: IETE Journal of Research, Jg. 59 (2013-07-01), Heft 4, S. 404-409
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A High-Speed, Low-Power, and Area-Efficient FGMOS-Based Full Adder.
    Gupta, Roshani ; Gupta, Rockey ; et al.
    In: IETE Journal of Research, Jg. 68 (2022-05-01), Heft 3, S. 2305-2311
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhanced I ON / I OFF in ultra deep submicron CMOS devices using grooved nMOSFETs in comparison to planar nMOSFET.
    Dhar, Subhra ; Pattanaik, Manisha ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 99 (2012-07-01), Heft 7, S. 1013-1025
    academicJournal
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    Dynamic-type CMOS four-valued logic circuits.
    Watanabe, Tatsuki ; Matsumoto, Masayuki ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 67 (1989-11-01), Heft 5, S. 777-788
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A survey of leakage reduction techniques in CMOS digital circuits for nanoscale regime.
    Sharma, Vijay Kumar
    In: Australian Journal of Electrical & Electronic Engineering, Jg. 18 (2021-12-01), Heft 4, S. 217-236
    academicJournal
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    Mux Based Ultra-Low-Power Ternary Adders and Multiplier implemented with CNFET and 45 nm MOSFETs.
    Vidhyadharan, Abhay S ; Vidhyadharan, Sanjay
    In: International Journal of Electronics, Jg. 109 (2022), Heft 1, S. 58-82
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A novel ultra-low-power gate overlap tunnel FET (GOTFET) dynamic adder.
    Vidhyadharan, Sanjay ; Dan, Surya Shankar ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 107 (2020-10-01), Heft 10, S. 1663-1681
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Multi-input volistor logic XNOR gates.
    Aljafar, Muayad J. ; Perkowski, Marek A. ; et al.
    In: International Journal of Parallel, Emergent & Distributed Systems, Jg. 35 (2020-08-01), Heft 4, S. 423-432
    academicJournal
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    A Novel Double-Gate MOSFET Architecture as an Inverter.
    Aakansha ; Kumar, Manoj
    In: IETE Journal of Research, Jg. 69 (2023-11-01), Heft 11, S. 8218-8225
    academicJournal
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