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    4H-SiC CMOS Transimpedance Amplifier of Gamma-Irradiation Resistance Over 1 MGy.
    Masunaga, Masahiro ; Sato, Shintaroh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 224-229
    Online academicJournal
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters.
    Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
    Online academicJournal
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    Fabrication of Vertically Stacked Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors and Applications for the CMOS and CFET Inverters.
    Sung, Po-Jung ; Chang, Shu-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3504-3509
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Demonstration of Ge Nanowire CMOS Devices and Circuits for Ultimate Scaling.
    Wu, Heng ; Wu, Wangran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3049-3057
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Fully Depleted Ge CMOS Devices and Logic Circuits on Si.
    Wu, Heng ; Ye, Peide D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3028-3035
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Logic Device and Circuit Performance of Si Gate All Around Nanowire MOSFET.
    Nayak, Kaushik ; Bajaj, Mohit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3066-3074
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Geometry, Temperature, and Body Bias Dependence of Statistical Variability in 20-nm Bulk CMOS Technology: A Comprehensive Simulation Analysis.
    Wang, Xingsheng ; Adamu-Lema, Fikru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1547-1554
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Effects in Si-NW GAA FET and CMOS Inverter: A TCAD Simulation Study.
    Kaushal, Gaurav ; Rathod, S. S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-05-01), Heft 5, S. 1563-1566
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Sub-400^\circC~Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS.
    Gong, Xiao ; Han, Genquan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1640-1648
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Cryogenic Characterization and Analysis of Nanoscale SOI FETs Using a Virtual Source Model.
    Zhou, Guantong ; Mamun, Fahad Al ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1306-1312
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Self-Heating Effect in a 65 nm MOSFET at Cryogenic Temperatures.
    Artanov, Anton A. ; Gutierrez-D, Edmundo A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 900-904
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    FinFET External Resistance Analysis by Extended Shift-and-Ratio Method.
    Zhang, Chen ; Liu, Zuoguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3127-3130
    Online academicJournal
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    DIBL–Compensated Extraction of the Channel Length Modulation Coefficient in MOSFETs.
    Hiblot, Gaspard
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 4015-4018
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    3-D Quasi-Atomistic Model for Line Edge Roughness in Nonplanar MOSFETs.
    Oh, Sangheon ; Shin, Changhwan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4617-4623
    Online academicJournal
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    Improved Subthreshold and Output Characteristics of Source-Pocket Si Tunnel FET by the Application of Laser Annealing.
    Chang, Hsu-Yu ; Adams, Bruce ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 92-96
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Worst Case Sampling Method to Estimate the Impact of Random Variation on Static Random Access Memory.
    Lee, Gyo Sub ; Shin, Changhwan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), Heft 6, S. 1705-1709
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Random Dopant Fluctuation Induced Variability in Undoped Channel Si Gate all Around Nanowire n-MOSFET.
    Nayak, Kaushik ; Agarwal, Samarth ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-02-01), Heft 2, S. 685-688
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    Symmetric U-Shaped Gate Tunnel Field-Effect Transistor.
    Chen, Shupeng ; Wang, Shulong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 1343-1349
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    Tuning the Ge(Sn) Tunneling FET: Influence of Drain Doping, Short Channel, and Sn Content.
    Haehnel, Daniel ; Fischer, Inga Anita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 36-43
    Online academicJournal
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    Fabrication of \Si1 - x\Gex/\Si pMOSFETs Using Corrugated Substrates for Improved ION and Reduced Layout-Width Dependence.
    Ho, Byron ; Xu, Nuo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 153-158
    Online academicJournal
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