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    4H-SiC CMOS Transimpedance Amplifier of Gamma-Irradiation Resistance Over 1 MGy.
    Masunaga, Masahiro ; Sato, Shintaroh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 224-229
    Online academicJournal
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    Adaptive Power Control Using Current Adjustment for Watt-Level Power Amplifiers in CMOS SOI.
    Moallemi, Soroush ; Mehr, Payam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 605-609
    Online academicJournal
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    Volltext
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    On Border Traps in Back-Side-Illuminated CMOS Image Sensor Oxides.
    Vici, Andrea ; Russo, Felice ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2022-2027
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A CMOS-Imager-Pixel-Based Temperature Sensor for Dark Current Compensation.
    Xie, Shuang ; Prouza, Accel Abarca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 255-259
    Online academicJournal
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    A 0.5-V Multiple-Input Bulk-Driven OTA in 0.18-μm CMOS.
    Khateb, Fabian ; Kulej, Tomasz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-11-01), Heft 11, S. 1739-1747
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Why and How ITRS Worked to Recover the Breakdown of “Scaling Law” in 2000s—Structural Frame Analysis of Si-CMOS Semiconductor Technologies.
    Yasunaga, Yuko
    In: IEEE Transactions on Engineering Management, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 4, S. 1179-1194
    Online academicJournal
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    CMOS Ternary Logic With a Biristor Threshold Switch for Low Static Power Consumption.
    Han, Joon-Kyu ; Yu, Ji-Man ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-07-01), Heft 7, S. 1005-1008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters.
    Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication of Vertically Stacked Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors and Applications for the CMOS and CFET Inverters.
    Sung, Po-Jung ; Chang, Shu-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3504-3509
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 9.5nW, 0.55V Supply, CMOS Current Reference for Low Power Biomedical Applications.
    Agarwal, Samriddhi ; Pathy, Ashutosh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 3650-3654
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 6.13 \muW and 96 dB CMOS Exponential Generator.
    Al-Tamimi, Karama Mohammed ; Al-Absi, Munir A.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 22 (2014-11-01), Heft 11, S. 2440-2445
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 7.2–27.3 GHz CMOS LNA With 3.51 ±0.21 dB Noise Figure Using Multistage Noise Matching Technique.
    Chen, Hongchen ; Zhu, Haoshen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 70 (2022), Heft 1, S. 74-84
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    Abnormal On-Current Degradation Under Non-Conductive Stress in Contact Field Plate Lateral Double-Diffused Metal-Oxide- Semiconductor Transistor With 0.13-μm Bipolar-CMOS-DMOS Technology.
    Hung, Wei-Chun ; Tu, Yu-Fa ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-05-01), Heft 5, S. 769-772
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Physically Unclonable Function Using Soft Oxide Breakdown Featuring 0% Native BER and 51.8 fJ/bit in 40-nm CMOS.
    Chuang, Kai-Hsin ; Bury, Erik ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-10-01), Heft 10, S. 2765-2776
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Short Channel Output Conductance Enhancement Through Forward Body Biasing to Realize a 0.5 V 250 \upmu \textW 0.6–4.2 GHz Current-Reuse CMOS LNA.
    Parvizi, Mahdi ; Allidina, Karim ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016-03-01), Heft 3, S. 574-586
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    A Study on the Isolation Ability of LOC al O xidation of SiC (LOCOSiC) for 4H-SiC CMOS Process.
    Tsui, Bing-Yue ; Tsai, Te-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6644-6647
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    Multifinger MOSFETs’ Optimization Considering Stress and INWE in Static CMOS Circuits.
    Sharma, Arvind ; Alam, Naushad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2517-2523
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    An Automated Setup for the Characterization of Time-Based Degradation Effects Including the Process Variability in 40-nm CMOS Transistors.
    Xhafa, Xhesila ; Gungordu, Ali Dogus ; et al.
    In: IEEE Transactions on Instrumentation & Measurement, Jg. 70 (2021-07-01), S. 1-10
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    A gm/ID-Based Noise Optimization for CMOS Folded-Cascode Operational Amplifier.
    Ou, Jack ; Ferreira, Pietro M.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 61 (2014-10-01), Heft 10, S. 783-787
    Online academicJournal
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