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    Combined (Si) and (Ge) FinFET-CMOS Inverter Characterization Based on Driver to Load Transistor Ratio.
    Hashim, Yasir ; Hussein, Safwan Mawlood
    In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 14 (2022-09-01), Heft 5, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    0.5 V CMOS Inverter-Based Transconductance Amplifier with Quiescent Current Control.
    Ballo, Andrea ; Pennisi, Salvatore ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 11 (2021-12-01), Heft 4, S. 37-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    4H-SiC CMOS Transimpedance Amplifier of Gamma-Irradiation Resistance Over 1 MGy.
    Masunaga, Masahiro ; Sato, Shintaroh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 224-229
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Multi-stage CMOS amplifier frequency compensation using a single MOSCAP.
    Babazadeh Daryan, Behnam ; Khalesi, Hassan ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 103 (2020-05-01), Heft 2, S. 237-246
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D.
    Radamson, Henry H. ; Zhang, Yanbo ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 7 (2017-10-01), Heft 10, S. 1047-1078
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    New GAA FinFET without n-well or p-well.
    Lazzaz, A. ; Bousbahi, K. ; et al.
    In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 16 (2024-03-01), Heft 2, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters.
    Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Comparative Performance Study of Hybrid SET-CMOS Based Logic Circuits for the Estimation of Robustness.
    Jana, Biswabandhu ; Jana, Anindya ; et al.
    In: Journal of Nano- & Electronic Physics, Jg. 5 (2013-09-01), Heft 3, S. 3057-1- (6S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Fabrication of Vertically Stacked Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors and Applications for the CMOS and CFET Inverters.
    Sung, Po-Jung ; Chang, Shu-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3504-3509
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 6.13 \muW and 96 dB CMOS Exponential Generator.
    Al-Tamimi, Karama Mohammed ; Al-Absi, Munir A.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 22 (2014-11-01), Heft 11, S. 2440-2445
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Physically Unclonable Function Using Soft Oxide Breakdown Featuring 0% Native BER and 51.8 fJ/bit in 40-nm CMOS.
    Chuang, Kai-Hsin ; Bury, Erik ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-10-01), Heft 10, S. 2765-2776
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si.
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), Heft 7, S. 935-938
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter.
    Ranjan Panda, Soumya ; Pradhan, K.P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Demonstration of Ge Nanowire CMOS Devices and Circuits for Ultimate Scaling.
    Wu, Heng ; Wu, Wangran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3049-3057
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fully Depleted Ge CMOS Devices and Logic Circuits on Si.
    Wu, Heng ; Ye, Peide D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3028-3035
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis of Current Efficiency for CMOS Class-B LC Oscillators.
    Wang, Zisong ; Diao, Shengxi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 62 (2015-05-01), Heft 5, S. 1345-1352
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS Logic Device and Circuit Performance of Si Gate All Around Nanowire MOSFET.
    Nayak, Kaushik ; Bajaj, Mohit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3066-3074
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 5-7 GHz current reuse and g-boosted common gate low noise amplifier with LC based ESD protection in 32 nm CMOS.
    Ankathi, Sriharsha ; Vignan, Sriramula ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 90 (2017-03-01), Heft 3, S. 573-589
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design methodology for MOSFET-based voltage reference circuits implemented in 28 nm CMOS technology.
    Mohammed, Mahmood ; Abugharbieh, Khaldoon ; et al.
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 70 (2016-05-01), Heft 5, S. 568-577
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Future of nano CMOS technology.
    Iwai, Hiroshi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 112 (2015-10-01), S. 56-67
    academicJournal
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