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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS).
    Wang, G. L. ; Moeen, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 123511-123517
    Online academicJournal
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    Analog performance of the nanoscale double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor near the ultimate scaling limits.
    Jiménez, D. ; Iñíguez, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 5271-5276
    Online academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO<subscript>2</subscript>, and Ta<subscript>2</subscript>SnO<subscript>6</subscript>.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO2, and Ta2SnO6.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO<subscript>2</subscript>, and Ta<subscript>2</subscript>SnO<subscript>6</subscript>.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor three-context memory bit cell for non-volatile circuit design.
    Jovanović, B. ; Brum, R. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-04-07), Heft 13, S. 134316-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Performance characterization of microtomography with complementary metal-oxide-semiconductor detectors for computer-aided defect inspection.
    Kim, Ho Kyung ; Yun, Seungman ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-05-01), Heft 9, S. 094701-94701
    Online academicJournal
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    In situ visualization of domain kinetics in flux grown KTiOPO4 by digital holography.
    Canalias, C. ; Pasiskevicius, V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-09-15), Heft 6, S. 064105-64105
    Online academicJournal
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    An electrically detected magnetic resonance study of performance limiting defects in SiC metal oxide semiconductor field effect transistors.
    Cochrane, C. J. ; Lenahan, P. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011), Heft 1, S. 14506-1- (12S.)
    Online academicJournal
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    Elastic strain and dopant activation in ion implanted strained Si nanowires.
    Minamisawa, R. A. ; Habicht, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-15), Heft 12, S. 124908-1- (9S.)
    Online academicJournal
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    Molecular simulation on interfacial structure and gettering efficiency of direct silicon bonded (110)/(100) substrates.
    Kariyazaki, Hiroaki ; Aoki, Tatsuhiko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-08-01), Heft 8, S. 113509-1- (6S.)
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    Formation and thermal stability of ultra-shallow p+ junctions in Si and Si1-xGex formed by molecular beam epitaxy.
    Thompson, P. E. ; Bennett, J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-01), Heft 11, S. 6845-6850
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    Quantitative two-dimensional carrier profiling of a 400 nm complementary metal-oxide-semiconductor device by Schottky scanning capacitance microscopy.
    Tran, T. ; Nxumalo, J. N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-12-01), Heft 11, S. 6752-6757
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    Room temperature luminescence from (Si/SiO2)n (n = 1,2,3) multilayers grown in an industrial low-pressure chemical vapor deposition reactor.
    Pucker, G. ; Bellutti, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-11-15), Heft 10, S. 6044-6051
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    Maximizing performance for higher K gate dielectrics.
    Robertson, John
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-12-15), Heft 12, S. 124111-124111
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    Impact of proton-radiation-induced spacer damage on the dc characteristics degradation in deep-submicron metal-oxide-semiconductor field effect transistors.
    Xue, Shoubin ; Huang, Ru ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-04-15), Heft 8, S. 084505-84505
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    Evidence of a thermally stimulated charge transfer mechanism and interface defect formation in metal-oxide-semiconductor structures with germanium nanocrystals.
    Beyer, Reinhard ; von Borany, Johannes
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-03-15), Heft 6, S. 064513-64513
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    Metal-ferroelectric-metal capacitor based persistent memory for electronic product code class-1 generation-2 uhf passive radio-frequency identification tag.
    Yoon, Bongno ; Sung, Man Young ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-03-15), Heft 6, S. 061628-61628
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    Three-valued magnetic tunnel junction for nonvolatile ternary content addressable memory application.
    Uemura, Tetsuya ; Yamamoto, Masafumi
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-12-15), Heft 12, S. 123911-123911
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    Fabrication and characterization of MgO-based magnetic tunnel junctions for spin momentum transfer switching.
    Assefa, Solomon ; Nowak, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-09-15), Heft 6, S. 063901-63901
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