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    CMOS design of a capacitively isolated AC switch driver for auto-turning frequency.
    Zhang, M ; Llaser, N
    In: Measurement Science & Technology, Jg. 34 (2023-11-01), Heft 11, S. 1-12
    academicJournal
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    Review--System-on-Chip SMO Gas Sensor Integration in Advanced CMOS Technology.
    Filipovic, Lado ; Lahlalia, Ayoub
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 165 (2018-12-15), Heft 16, S. B862- (18S.)
    academicJournal
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    Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Conductive Hafnium Nitride Using Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium for CMOS Gate Electrode Applications.
    Consiglio, Steven ; Zeng, Wanxue ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-03-01), Heft 3, S. H196- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Magnetic-Particle-Composite-Medium-Filled Stacked-Spiral Inductors for Radio-Frequency CMOS Applications.
    Jing, Zhan ; Hua-Lin, Cai ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 30 (2013-12-01), Heft 12, S. 128401-128405
    Online academicJournal
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    A novel method of hotspot temperature reduction for a 3D stacked CMOS IC chip device fabricated on an ultrathin substrate.
    Kato, Fumiki ; Nakagawa, Hiroshi ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 23 (2013-02-01), Heft 2, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology.
    Hong, Chen ; Hai, Liu ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 24 (2007), Heft 1, S. 265-267
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    A novel diode string triggered gated-PiN junction device for electrostatic discharge protection in 65-nm CMOS technology.
    Li-Zhong, Zhang ; Yuan, Wang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 24 (2015-10-01), Heft 10, S. 1-1
    academicJournal
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    3D integration of planar crossbar memristive devices with CMOS substrate.
    Lin, Peng ; Pi, Shuang ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-10-10), Heft 40, S. 1-1
    academicJournal
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    Optimization of lateral double-diffused MOS transistors in 0.18 µm bipolar-CMOS-DMOS technology for wide-voltage applications.
    Y O Choi ; S Y Kim
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 25 (2010-11-01), Heft 11, S. 115002-115002
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    CMOS compatible strategy based on selective atomic layer deposition of a hard mask for transferring block copolymer lithography patterns.
    Gay, G ; Baron, T ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 21 (2010-10-29), Heft 43, S. 435301-435301
    Online academicJournal
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    Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers.
    Duguay, S. ; Burignat, S. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007-08-01), Heft 8, S. 837-842
    Online academicJournal
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    The impact of radiation and temperature effects on dual-direction SCR devices for on-chip ESD protections.
    Wu, Ming ; Lu, Wenzhao ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-04-01), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A multiscale simulation technique for molecular electronics: design of a directed self-assembled molecular n-bit shift register memory device.
    Lambropoulos, Nicholas A ; Reimers, Jeffrey R ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-12-20), Heft 50, S. 505202-505212
    Online academicJournal
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    Operation and scalability of dopant-segregated Schottky barrier MOSFETs with recessed channels.
    Shih, Chun-Hsing ; Hsia, Jui-Kai
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 28 (2013-11-01), Heft 11, S. 115008-115017
    Online academicJournal
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    Controlling trapping potentials and stray electric fields in a microfabricated ion trap through design and compensation.
    Charles Doret, S. ; Amini, Jason M. ; et al.
    In: New Journal of Physics, Jg. 14 (2012-07-01), Heft 7, S. 1-16
    Online academicJournal
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    Understanding of Carbon/Fluorine Co-implant Effect on Boron-Doped Junction Formed during Soak Annealing.
    Yeong, S. H. ; Colombeau, B. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-02-01), Heft 2, S. H69- (7S.)
    academicJournal
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    Study on the recovery of NBTI of ultra-deep sub-micro MOSFETs.
    Yan, Cao ; Xiao, Ma ; et al.
    In: Chinese Physics, Jg. 16 (2007-04-01), Heft 4, S. 1140-1144
    Online academicJournal
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    Experimental evidence of two conduction mechanisms for direct tunnelling stress-induced leakage current through ultrathin silicon dioxide gate dielectrics.
    Samanta, Piyas ; Man, Tsz Yin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 21 (2006-10-01), Heft 10, S. 1393-1401
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    Dc voltage-voltage method to measure the interface traps in sub-micron MOSTs.
    Jie, B. B. ; Li, M. F. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 14 (1999-07-01), Heft 7, S. 621-627
    Online academicJournal
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    The cryogenic behaviour of metal-oxide-semiconductor transistors fabricated in high-resistivity silicon substrates.
    Simoen, E. ; Vanstraelen, G. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 9 (1994-09-01), S. 1679-1685
    Online academicJournal
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