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    Review--System-on-Chip SMO Gas Sensor Integration in Advanced CMOS Technology.
    Filipovic, Lado ; Lahlalia, Ayoub
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 165 (2018-12-15), Heft 16, S. B862- (18S.)
    academicJournal
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    The effect of CMOS processing on oxygen precipitation, wafer warpage, and flatness.
    Lee, Chang-Ou ; Tobin, P. J.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986-10-01), S. 2147-2152
    academicJournal
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    Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Conductive Hafnium Nitride Using Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium for CMOS Gate Electrode Applications.
    Consiglio, Steven ; Zeng, Wanxue ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-03-01), Heft 3, S. H196- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scalability and Reliability Characteristics of CVD HfO2 Gate Dielectrics with HfN Electrodes for Advanced CMOS Applications.
    Kang, J. F. ; Yu, H. Y. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007-11-01), Heft 11, S. H927- (6S.)
    academicJournal
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    Understanding of Carbon/Fluorine Co-implant Effect on Boron-Doped Junction Formed during Soak Annealing.
    Yeong, S. H. ; Colombeau, B. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-02-01), Heft 2, S. H69- (7S.)
    academicJournal
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    Elimination of stress-induced defects in polybuffered LOCOS isolation scheme for sub-0.25 μm designs.
    Deleonibus, S. ; Martin, F. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997-06-01), S. L164- (3S.)
    academicJournal
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    Nanobeam Diffraction: Technique Evaluation and Strain Measurement on Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices.
    Favia, P. ; Gonzales, M. Bargallo ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-04-01), Heft 4, S. H438- (9S.)
    academicJournal
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    ALD and Parasitic Growth Characteristics of the Tetrakisethylmethylamino Hafnium (TEMAH)/H2O Process.
    Nyns, L. ; Delabie, A. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010-11-01), Heft 11, S. G225- (5S.)
    academicJournal
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    TiNi/HfO2/SiO2/Si Gate Stack Breakdown: Contribution of HfO2 and Interfacial SiO2 Layer.
    Rahim, N. ; Misra, D.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-10-01), Heft 10, S. G194- (5S.)
    academicJournal
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    Precision resistor integration into a submicron silicided complementary metal oxide semiconductor technology.
    Miles, Glen L. ; Grellner, Frank ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000-08-01), Heft 8, S. 3078-3080
    academicJournal
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