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    Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monolithic and Hybrid Pixel Sensors.
    Traversi, Gianluca
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-15), Heft 5, S. 2391-2400
    Online academicJournal
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    Instrumentation for Noise Measurements on CMOS Transistors for Fast Detector Preamplifiers.
    Manghisoni, M. ; Ratti, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-06-02), Heft 3, S. 1281-1286
    Online academicJournal
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    A 128-Channel CMOS Charge Readout ASIC for Flat-Panel X-Ray Detectors.
    Adachi, Susumu ; Nishimura, Akihiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3673-3683
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Accurate SPICE Models for CMOS Analog Radiation-Hardness-by-Design.
    Champion, Corbin L. ; La Rue, George S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2542-2549
    Online academicJournal
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    Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.
    Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980
    Online academicJournal
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    The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of 65 nm RF-CMOS on SOI.
    Madan, Anuj ; Verma, Rohan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3256-3261
    Online academicJournal
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    Device-Physics-Based Analytical Model for Single-Event Transients in SOI CMOS Logic.
    Kobayashi, Daisuke ; Hirose, Kazuyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3043-3049
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Impact of Proton Irradiation on the RF Performance of 65 nm SOI CMOS Technology.
    Madan, Anuj ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 1914-1919
    Online academicJournal
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    Volltext
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    On the Radiation Tolerance of SiGe HBT and CMOS-Based Phase Shifters for Space-Based, Phased-Array Antenna Systems.
    Thrivikraman, Tushar K. ; Cheng, Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3246-3252
    Online academicJournal
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    Noise Performance of 0.35-μm SOI CMOS Devices and Micropower Preamplifier Following 63-MeV, 1-Mrad (Si) Proton Irradiation.
    Binkley, D. M. ; Hopper, C. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-12-02), Heft 6, S. 3788-3794
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Probing Proton Damage in SOI CMOS Technology by Using Lateral Bipolar Action.
    Li, Ying ; Niu, Guofu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 1885-1890
    Online academicJournal
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    Comparison of Ionizing Radiation Effects in 0.18 and 0.25 μm CMOS Technologies for Analog Applications.
    Manghisoni, Massimo ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 1827-1833
    Online academicJournal
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    A CMOS Time-of-Flight System-on-a-Chip for Spacecraft Instruments.
    Paschalidis, N. ; Stamatopoulos, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-06-02), Heft 3, S. 1156-1163
    Online academicJournal
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    A 10-Mc/s, 0.5-μm CMOS Constant-Fraction Discriminator Having Built-In Pulse Tail Cancellation.
    Binkley, D. M. ; Puckett, B. S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-06-02), Heft 3, S. 1130-1140
    Online academicJournal
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    Evaluating the Influence of Various Body-Contacting Schemes on Single Event Transients in 45-nm SOI CMOS.
    Moen, Kurt A. ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3366-3372
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Circuit Modeling of Single-Event Transient Pulse Stretching in Digital CMOS.
    Tuinenga, Paul W. ; Massengill, Lloyd W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3165-3171
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry.
    Makihara, A. ; Ebihara, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 2921-2927
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    Hardness-by-Design Approach for 0.15 μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices With Enhanced SEU/SET Immunity.
    Makihara, A. ; Midorikawa, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2524-2530
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    Catastrophic Latchup in a CMOS Operational Amplifier.
    Irom, Farokh ; Miyahira, Tetsuo F.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2475-2480
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    A Novel Compact Topology for High-Resolution CMOS/BiCMOS Spectroscopy Amplifiers.
    Buzzetti, Siro ; Guazzoni, Chiara
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-10-03), Heft 5, S. 1611-1616
    Online academicJournal
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