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    Fabrication of asymmetric independent dual-gate FinFET using sidewall spacer patterning and CMP processes.
    Kim, Hyungjin ; Sun, Min-Chul ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 185 (2018-01-05), S. 29-34
    academicJournal
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    XPS, UV–vis spectroscopy and AFM studies on removal mechanisms of Si-face SiC wafer chemical mechanical polishing (CMP).
    Zhou, Yan ; Pan, Guoshun ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 316 (2014-10-15), S. 643-648
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Semi-empirical material removal rate distribution model for SiO<subscript>2</subscript> chemical mechanical polishing (CMP) processes
    Lee, H.S. ; Jeong, H.D. ; et al.
    In: Precision Engineering, Jg. 37 (2013-04-01), Heft 2, S. 483-490
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of silane modified SiO<subscript>2</subscript> abrasive particles and their Chemical Mechanical Polishing (CMP) performances
    Pan, Guo ; Shun ; et al.
    In: Wear, Jg. 273 (2011-11-01), Heft 1, S. 100-104
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical mechanical polishing (CMP) mechanisms of thermal SiO<subscript>2</subscript> film after high-temperature pad conditioning
    Kim, Nam-Hoon ; Ko, Pil-Ju ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 504 (2006-05-10), Heft 1/2, S. 166-169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of friction and wear with AFM in CMP process of selective layer.
    Ilie, F.
    In: Tribology: Materials, Surfaces & Interfaces, Jg. 7 (2013-12-01), Heft 4, S. 211-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of silica/ceria nano composite abrasive and its CMP behavior on hard disk substrate
    Lei, Hong ; Chu, Fengling ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-11-01), Heft 9, S. 1747-1750
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMP pad wear and polish-rate decay modeled by asperity population balance with fluid effect
    Shi, Hong ; Ring, Terry A.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-11-15), Heft 11, S. 2368-2375
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Establishing the discipline of physics-based CMP modeling.
    Runnels, Scott ; Laursen, Thomas
    In: Solid State Technology, Jg. 45 (2002-03-01), Heft 3, S. 47-50
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stress analysis of Cu/low-k interconnect structure during whole Cu-CMP process using finite element method
    Liao, Chenglong ; Guo, Dan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 53 (2013-05-01), Heft 5, S. 767-773
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analyses and experimental confirmation of removal performance of silicon oxide film in the chemical–mechanical polishing (CMP) process with pattern geometry of concentric groove pads
    Wei, Chin-Chung ; Horng, Jeng-Haur ; et al.
    In: Wear, Jg. 270 (2011-01-12), Heft 3/4, S. 172-180
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Post-Cu CMP cleaning for colloidal silica abrasive removal
    Chen, Po-Lin ; Chen, Jyh-Herng ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 75 (2004-11-01), Heft 4, S. 352-360
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Wide margin CMP for STI.
    Withers, Brad ; Zhao, Eugene ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 41 (1998-07-01), Heft 7, S. 173-176
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CMP: Market continues to roar.
    Martinez, Michael A.
    In: Solid State Technology, Jg. 39 (1996-08-01), Heft 8, S. 50-53
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Emerging developments in CMP for semiconductor planarization.
    Fury, Michael A.
    In: Solid State Technology, Jg. 38 (1995-04-01), Heft 4, S. 47-51
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of organic additives on copper dissolution for e-CMP
    Cojocaru, P. ; Muscolino, F. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-11-15), Heft 11, S. 2187-2189
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Application of CMP Process Monitor to Cu Polishing.
    Kojima, Tadayuki ; Miyajima, Motosyu
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 13 (2000-08-01), Heft 3, S. 293-299
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Characteristics of Polysilicon Oxides Combining N...O Nitridation and CMP Processes.
    Tan Fu Lei ; Jiann Heng Chen
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000-08-01), Heft 8, S. 1545-1552
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Experimental and theoretical analysis of single-sided and double-sided chemical mechanical polishing of sapphire wafers.
    Li, Zhongyang ; Deng, Zhaohui ; et al.
    In: International Journal of Advanced Manufacturing Technology, Jg. 119 (2022-04-01), Heft 7/8, S. 5095-5106
    Online academicJournal
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    Roles and mechanistic analysis of adenine as a green inhibitor in chemical mechanical polishing.
    Zeng, Nengyuan ; Zhao, Hongdong ; et al.
    In: Journal of Applied Electrochemistry, Jg. 51 (2021-10-01), Heft 10, S. 1479-1489
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