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    3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology : Materials for advanced metallization
    Wieland, R. ; Bonfert, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 529-533
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Empirical modeling of oxide CMP at chip scale : Materials for advanced metallization
    Wolf, H. ; Streiter, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 686-694
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reservoir effect on electromigration mechanisms in dual-damascene Cu interconnect structures : Materials for advanced metallization
    Vairagar, A. V. ; Mhaisalkar, S. G. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 675-679
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling of residual stresses in thin films deposited by electron beam evaporation : Materials for advanced metallization
    Guisbiers, G. ; Strehle, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 665-669
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of conditioning temperature on polishing pad for oxide chemical mechanical polishing process : Materials for advanced metallization
    Kim, N. H. ; Choi, G. W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 680-685
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Qualitative and quantitative analysis of acoustomigration effects in SAW-devices : Materials for advanced metallization
    Kubat, F. ; Ruile, W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 655-659
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A numerical method for calculating the dynamic stress in SAW devices : Materials for advanced metallization
    Kubat, F. ; Ruile, W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 670-674
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electron back scattered diffraction study of acoustomigration damage in Al/Ti metallization for SAW devices : Materials for advanced metallization
    Pekar♯?♯łÌ?kov©Ł, M. ; Menzel, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 650-654
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Reliability studies of narrow Cu lines : Materials for advanced metallization
    Schindler, G. n. ; Penka, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 645-649
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Correlation of electromigration defects in small damascene Cu interconnects with their microstructure : Materials for advanced metallization
    Wendrock, H. ; Mirpuri, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 660-664
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    TaN/Ta bilayer barrier characteristics and integration for 90 and 65nm nodes : Materials for advanced metallization
    Jacquemin, J. P. ; Labonne, E. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 613-617
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of substrate metallization on mechanical properties of Sn–3.5Ag BGA solder joints with multiple reflows : Materials for advanced metallization
    Koo, J. M. ; Jung, S. B.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 569-574
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of atomic layer deposited nanoscale structure on dense dielectric substrates by X-ray reflectivity : Materials for advanced metallization
    Travaly, Y. ; Schuhmacher, J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 639-644
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Interfacial reactions and joint reliability of Sn–9Zn solder on Cu or electrolytic Au/Ni/Cu BGA substrate : Materials for advanced metallization
    Lee, C. Y. ; Yoon, J. W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 561-568
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Microstructure effect on EM-induced copper interconnect degradation: Experiment and simulation : Materials for advanced metallization
    Zschech, E. ; Sukharev, V.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 629-638
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of introducing CuSiN self-aligned barriers in advanced copper interconnects : Materials for advanced metallization
    Chhun, S. ; Gosset, L. G. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 587-593
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A PVD based barrier technology for the 45nm node : Materials for advanced metallization
    Forster, J. ; Gopalraja, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 594-599
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reliability evaluations of flip chip package under thermal shock test : Materials for advanced metallization
    Kim, D. G. ; Kim, J. W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 575-580
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The effect of tungsten and boron on the Cu barrier and oxidation properties of thin electroless cobalt–tungsten–boron films : Materials for advanced metallization
    Einati, H. ; Bogush, V. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 623-628
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation of high performance Ta–Si–N/Cu/Ta–Si–N metallization system for SAW devices : Materials for advanced metallization
    Pekar♯?♯łÌ?kov©Ł, M. ; Menzel, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 607-612
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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