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    Schottky barrier height modulation at NiGe/Ge interface by phosphorous ion implantation and its application to Ge-based CMOS devices
    Hosoi, Takuji ; Oka, Hiroshi ; et al.
    In: 2015 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2015-06-01, S. 69-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent progress of junction technology for germanium CMOS
    Nishimura, Tomonori ; Lee, Choong Hyun ; et al.
    In: 2015 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT), 2015-06-01, S. 65-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -