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    LPE growth and characterisation of GaInAsSb and GaALAsSb quaternary layers on (100) GaSb substrates
    PISKORSKI, M ; PIOTROWSKA, A ; et al.
    In: Proceedings of the 8th European Vacuum Congress Berlin 2003, 23-26 June 2003, featuring the 8th European Vacuum Conference and 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Jg. 459 (2004), Heft 1-2, S. 2-6
    Konferenz
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    Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer
    FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; et al.
    In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, Jg. 451-52 (2004), S. 308-311
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    LPE growth of the PZNT91/9 film on the (0 0 1) SrTiO3 substrate
    XINHUA, ZENG ; XIN, YAO ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 262 (2004), Heft 1-4, S. 251-254
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of substrate conductivity on layer thickness in LPE GaAs
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE JESUS, P ; et al.
    In: ICMAT 2003: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium H: Compound Semiconductors in Electronic and Optoelectronic Applications, Jg. 268 (2004), Heft 3-4, S. 375-377
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The influences of supersaturation on LPE growth of GaN single crystals using the Na flux method
    MORISHITA, Masanori ; KAWAMURA, Fumio ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 270 (2004), Heft 3-4, S. 402-408
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Investigation of the composition-pulling or lattice-latching effect in LPE
    RODRIGUEZ-TORRES, M. Del P ; GORBATCHEV, A. Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 277 (2005), Heft 1-4, S. 138-142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Direct-write e-beam sub-micron domain engineering in liquid phase epitaxy (LPE) LiNbO3 thin films and single crystal LiNbO3
    SON, J ; YUEN, Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 280 (2005), Heft 1-2, S. 135-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    N-type Hg1-xCdxTe : Undoped x = 0.3 LPE material for SPRITE IR detectors
    MC ALLISTER, A ; O'KEEFE, E. S ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 25 (1996), Heft 6, S. 1014-1018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1-xCdxTe epilayers
    HARMAN, T. C
    In: Journal of electronic materials, Jg. 22 (1993), Heft 9, S. 1165-1172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The back-side morphology of LPE-grown AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures after the complete removal of the GaAs substrate by selective etching
    BOLKHOVITYANOV, Y. B ; HAIRI, E. H ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 4, S. 471-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Photoluminescence of LPE-grown InAs1-x-ySbxPy for 2.55 μm lasers
    KRIER, A ; ROWE, D. R
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 4-5, S. 225-231
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Origin and evolution of background impurity content of materials used in the preparation of (Hg, Cd)Te LPE layers on CdTe substrates
    RUDOLPH, P ; MÜHLBERG, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 118 (1992), Heft 1-2, S. 204-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    LPE growth of Ga1-xInxSb multi-grading layers
    GONG, XIUYING ; OKITSU, K ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 609-616
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    OHSAWA, J ; TOMITA, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 116 (1992), Heft 3-4, S. 351-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Gettering properties of praseodymium in InGaP LPE growth
    LAI, M. Z ; CHANG, L. B
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 623-627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    On the peculiarities of the short-time (tg < 10 ms) solid solution LPE growth onto the moving substrate
    GARBUZOV, D. Z ; ZHURAVKEVICH, E. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 955-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.5.Ga0.47As LPE growth
    NOVAK, J ; HASENOHRL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 862-866
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Solute transport mechanims during liquid phase epitaxial (LPE) growth with an applied current
    TAKENAKA, C ; KUSUNOKI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 114 (1991), Heft 3, S. 293-298
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Real-time measurement of LPE growth rate in GaP
    INATOMI, Y ; KURIBAYASHI, K
    In: Journal of crystal growth, Jg. 114 (1991), Heft 3, S. 380-388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Novel surface preservation technique for large area growth of (100) InP substrate by LPE
    TRAN, D ; LEE, H. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 1-2, S. 16-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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