Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
372 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

372 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Modeling and simulation of silicon epitaxial growth in Siemens CVD reactor
    HAOYIN, NI ; SHIJIE, LU ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 89-99
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Structural trends in Si dots formation on SiC surfaces using CVD environment
    PORTAIL, M ; VEZIAN, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 157-163
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Process stability and morphology optimization of very thick 4H―SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD
    YAZDANFAR, M ; STENBERG, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 380 (2013), S. 55-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effect of N2O on high-rate homoepitaxial growth of CVD single crystal diamonds
    SU, Y ; LI, H. D ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 351 (2012), Heft 1, S. 51-55
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Misorientation-angle dependence of boron incorporation into (0 0 1)-oriented chemical-vapor-deposited (CVD) diamond
    OGURA, Masahiko ; KATO, Hiromitsu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 317 (2011), Heft 1, S. 60-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    CVD growth of bulk polycrystalline ZnS and its optical properties
    FANG, ZHENYI ; CHAI, YICHAO ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 3, Jg. 237-39 (2002), S. 1707-1710
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Low-temperature growth of epitaxial ( 1 0 0) silicon based on silane and disilane in a 300 mm UHV/CVD cold-wall reactor
    ADAM, T. N ; BEDELL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 23, S. 3473-3478
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation on crystalline structure, boron distribution, and residual stresses in freestanding boron-doped CVD diamond films
    HONGDONG, LI ; TONG, ZHANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 12-13, S. 1986-1991
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene
    GUPTA, Priti ; RAHMAN, A. A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 372 (2013), S. 105-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Simple technique for measuring the filled volume of liquid or solid CVD precursor chemicals in bubblers
    BOUR, David ; ZHIHONG, YANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 10, S. 2673-2677
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    In situ control of Au-catalyzed chemical vapor deposited (CVD) Ge nanocone morphology by growth temperature variation
    CHO, Hans S ; KAMINS, Theodore I
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 16-17, S. 2494-2497
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Epitaxial growth of graphitic carbon on C-face SiC and sapphire by chemical vapor deposition (CVD)
    HWANG, Jeonghyun ; SHIELDS, Virgil B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 21, S. 3219-3224
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Using density functional theory to postulate a mechanism for zinc sulfide formation in a CVD reactor
    SHARIFI, Yousef ; ACHENIE, Luke E
    In: Journal of crystal growth, Jg. 307 (2007), Heft 2, S. 440-447
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Equilibrium analysis of zirconium carbide CVD growth
    YONG SUN, WON ; VARANASI, Venu G ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 307 (2007), Heft 2, S. 302-308
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Influence of periodic magnetic field on the growth of CVD diamond films at lower temperature
    XIAOLONG, YOU ; ZHIMING, YU ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 23-24, S. 4675-4678
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Thermodynamic and experimental investigations on the growth of thick aluminum nitride layers by high temperature CVD
    CLAUDEL, A ; BLANQUET, E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 13, S. 3371-3379
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Donor incorporation in SiC epilayers grown at high growth rate with chloride-based CVD
    PEDERSEN, H ; BEYER, F. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 5, S. 1321-1327
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers
    HAIZHENG, SONG ; RANA, Tawhid ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 320 (2011), Heft 1, S. 95-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
    CHOWDHURY, Iftekhar ; CHANDRASEKHAR, M. V. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 316 (2011), Heft 1, S. 60-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Fluid dynamic analysis of gas flow in a thermal-CVD system designed for growth of carbon nanotubes
    MUSSO, Simone ; PORRO, Samuele ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 2, S. 477-483
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -