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    Tailored supported metal nanoparticles by CVD: an easy and efficient scale-up by a rotary bed OMCVD device
    DAL SANTO, Vladimiro ; GALLO, Alessandro ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 19 (2009), Heft 47, S. 9030-9037
    Online academicJournal
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    The CVD of silver selenide films from dichalcogenophosphinato and imidodichalcogenodiphosphinatosilver(I) single-source precursors
    PANNEERSELVAM, Arunkumar ; NGUYEN, Chinh Q ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 19 (2009), Heft 3, S. 419-427
    Online academicJournal
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    Gas-phase loading of [Zn4O(btb)2] (MOF-177) with organometallic CVD-precursors : inclusion compounds of the type [LnM]a@MOF-177 and the formation of Cu and Pd nanoparticles inside MOF-177f
    MÜLLER, Maike ; LEBEDEV, Oleg I ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 18 (2008), Heft 43, S. 5274-5281
    Online academicJournal
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    The CVD of silver sulfide and silver thin films from a homoleptic crystalline single-source precursor
    PANNEERSELVAM, Arunkumar ; MALIK, Mohammad A ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 18 (2008), Heft 27, S. 3264-3269
    Online academicJournal
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    Loading of porous metal-organic open frameworks with organometallic CVD precursors : inclusion compounds of the type [LnM]a@MOF-5
    HERMES, Stephan ; SCHRÖDER, Felicitas ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 16 (2006), Heft 25, S. 2464-2472
    Online academicJournal
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    Deposition of Ru and RuO2 thin films employing dicarbonyl bis-diketonate ruthenium complexes as CVD source reagents
    LAI, Ying-Hui ; CHEN, Yao-Lun ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 8, S. 1999-2006
    Online academicJournal
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    Fluorinated aminoalkoxide CuII complexes: new CVD precursors for deposition of copper metal
    YUN, CHI ; HSU, Peng-Fu ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 12 (2002), Heft 12, S. 3541-3550
    Online academicJournal
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    Deposition of osmium thin films using pyrazolate complexes as CVD source reagents
    YUN, CHI ; YU, Huan-Li ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 12 (2002), Heft 5, S. 1363-1369
    Online academicJournal
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    The deposition of thin films of CuME2 by CVD techniques (M = In, Ga and E = S, Se)
    PARK, Jin-Ho ; AFZAAL, Mohammad ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 8, S. 1942-1949
    Online academicJournal
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    Tantalum(v) diethylamide, [Ta(NEt2)5] : a potentially important and crystalline precursor for the CVD of oxides containing tantalum
    DAVIES, Hywel O ; JONES, Anthony C ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 16 (2006), Heft 23, S. 2226-2228
    Online academicJournal
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    Studies of the thermal decomposition of some diselenocarbamato complexes of cadmium or zinc : molecular design for the deposition of MSe films by CVD
    CHUNGGAZE, M ; AZAD MALIK, M ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 9 (1999), Heft 10, S. 2433-2437
    Online academicJournal
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    CVD preparation and characterization of tin dioxide films for electrochemical applications
    YUSTA, F. J ; HITCHMAN, M. L ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 7 (1997), Heft 8, S. 1421-1427
    Online academicJournal
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    Studies of the effects of NF3 on the growth of polysilicon films by low-pressure CVD. II: Effect on crystallinity
    HITCHMAN, M. L ; JUNFU, ZHAO ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 12, S. 1827-1834
    Online academicJournal
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    Studies of the effects of NF3 on the growth of polysilicon films by low-pressure CVD. I: Effect on growth rate
    HITCHMAN, M. L ; JUNFU, ZHAO ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 12, S. 1821-1826
    Online academicJournal
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    Studies of the effects of NF3 on the growth of polysilicon films by low-pressure CVD. III: Effect on composition
    HITCHMAN, M. L ; JUNFU, ZHAO ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 12, S. 1835-1842
    Online academicJournal
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    Epitaxially grown GaN nanowire networks
    ZHEN, WU ; MYUNG GWAN, HAHM ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 19 (2009), Heft 4, S. 463-467
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    Mesoporous boron nitride and boron-nitride-carbon materials from mesoporous silica templates
    RUSHTON, Ben ; MOKAYA, Robert
    In: Journal of material chemistry, Jg. 18 (2008), Heft 2, S. 235-241
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    Hollow carbon spheres with a controllable shell structure
    FABING, SU ; ZHAO, X. S ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 16 (2006), Heft 45, S. 4413-4419
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    Dissociation reactions of CuI(hfac)L compounds relevant to the chemical vapor deposition of copper
    CAVALLOTTI, Carlo ; GUPTA, Vijay ; et al.
    In: PCCP. Physical chemistry chemical physics (Print), Jg. 5 (2003), Heft 13, S. 2818-2827
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    Remote hydrogen-nitrogen plasma chemical vapor deposition from a tetramethyldisilazane source. Part 1. Mechanism of the process, structure and surface morphology of deposited amorphous hydrogenated silicon carbonitride films
    WROBEL, A. M ; BŁASZCZYK, I ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 4, S. 731-737
    Online academicJournal
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