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    Rapid thermal process atomic layer deposition of high dielectric constant ultrathin ZrO2 for sub 65nm silicon CMOS technology
    FAKHRUDDIN, M ; SINGH, R ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 281-285
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of starting surface in atomic layer deposition
    HAUKKA, Suvi ; TUOMINEN, Marko ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 405-416
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Charges in HFO2 ALD gate dielectrics
    BERSUKER, G ; ZEITZOFF, P. M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 417-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal annealing of atomic layer deposited hafnium-silicate / poly-silicon layers
    RITTERSMA, Z. M ; MASSOUBRE, D ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 273-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Pathways for advanced transistors using hafnium-based oxides by atomic layer deposition
    LONDERGAN, Ana R ; RAMANATHAN, Sasangan ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 243-249
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-k dielectric processing for germanium channel MOSFETs
    MCINTYRE, Paul C ; CHI, David ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 295-304
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of Al2O3:HfO2nanolaminate films deposited by atomic layer deposition
    D'EMIC, C ; GUSEV, E. P ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 217-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    First principles modelling of the deposition process for high-K dielectric films
    ELLIOTT, Simon D
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 231-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Batch atomic layer deposition for MIM capacitors
    DE BLANK, René ; JAN SNIJDERS, Gert ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 225-229
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer deposition of high-K metal oxides for gate and capacitor dielectrics
    SENZAKI, Yoshihide ; PARK, S. G ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 423-428
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced layer-by-layer deposition and annealing process for high-quality high-K dielectrics formation
    IWAMOTO, K ; TOMINAGA, T ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 265-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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