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    Influence of different carbon source gases on preparation and properties of a-Si1-XCX:H alloy films including μc-Si:H by hot-wire CVD
    ITOH, T ; FUJIWARA, T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 880-884
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Some effects of boron doping in a-SiC:H films prepared by the ECR-CVD method
    YOON, S. F ; JI, R ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 211 (1997), Heft 1-2, S. 173-179
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Defects and structure of hydrogenated microcrystalline silicon films deposited by different techniques
    NETO, A. L. B ; DYLLA, T ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 168-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of growth temperature on the microcrystallinity and native defect structure of hydrogenated amorphous silicon
    HÄRTING, M ; BRITTON, D. T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 103-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of microcrystalline silicon-germanium films
    MIYAZAKI, S ; TAKAHASHI, H ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 148-152
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Undoped and arsenic-doped low temperature (∼165 °C) microcrystalline silicon for electronic devices process
    KANDOUSSI, K ; SIMON, C ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 968-971
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermodynamic analysis of gas phase chemistry in hot wire chemical vapor deposition of a-Si:H and μc-Si:H
    ADHIKARI, Subhra ; VISWANATHAN, N. N ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 928-932
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Substrate temperature dependence of microcrystalline silicon growth by PECVD technique
    MUKHOPADHYAY, Sumita ; CHOWDHURY, Amartya ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1045-1048
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Scaling properties of growing surfaces of microcrystalline silicon
    TOYAMA, T ; KITAGAWA, T ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 941-944
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Relative importance of hydrogen atom flux and ion bombardment to the growth of μc-Si:H thin films
    LYKA, B ; AMANATIDES, E ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1049-1054
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New insights in microcrystalline silicon deposition with expanding thermal plasma chemical vapor deposition
    VAN SWAAIJ, R. A. C. M. M ; ZAMBRANO, R. Jiménez ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 933-936
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microcrystalline silicon prepared at magnetic field modified nucleation
    KOCKA, J ; MATES, T ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 901-905
    Konferenz
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    Dynamics of low temperature PECVD growth of microcrystalline silicon thin films : Impact of substrate surface treatments
    LOSURDO, M ; GIANGREGORIO, M. M ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 906-910
    Konferenz
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    Preparation of microcrystalline silicon films at ultra high-rate of 10 nm/s using high-density plasma
    NIIKURA, Chisato ; KONDO, Michio ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 42-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microcrystalline silicon growth in the presence of dopants: effect of high growth temperatures
    GORDIJN, A ; RATH, J. K ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 110-114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Kinetics of silicon film growth and the deposition phase diagram
    FERREIRA, G. M ; FERLAUTO, A. S ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 13-18
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth mechanism of microcrystalline silicon at high pressure conditions
    RATH, J. K ; FRANKEN, R. H. J ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 56-60
    Konferenz
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    Deposition of microcrystalline silicon-carbon alloys in low power regime
    AMBROSONE, G ; BARUCCA, G ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 163-167
    Konferenz
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    Transition from amorphous to microcrystalline Si:H: effects of substrate temperature and hydrogen dilution
    RAY, S ; MUKHOPADHYAY, S ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 761-766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Time-resolved layer thickness behavior of microcrystalline and amorphous silicon samples after switching on a hydrogen/silane VHF plasma
    TERASA, R ; ALBERT, M ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 58-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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