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    L'avenir de la technologie CMOS de la microélectronique à la nanoelectronique
    DELEONIBUS, S
    In: Le vide et ses intervenants : Guide à l'usage des utilisateurs du vide. Edition 2000, 2000, S. 122-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développemnt de technologies CMOS et biCMOS / Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développement de technologie CMOS et biCMOS
    TERNISIEN D'OUVILLE, T
    In: Echo des recherches (Ed. française), 1994, Heft 156, S. 27-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    La technologie CMOS WAI 0,7 μm du CNET et son transfert à Matra MHS / The CMOS WAI 0.7 μm process from CNET and its transfer to Matra-MHS
    MINGAM, H ; DELPECH, P
    In: Echo des recherches (Ed. française), 1993, Heft 153, S. 3-22
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    La technologie CMOS submicronique indispensable à l'intégration d'un système sur une puce
    LAES, E
    In: Maîtriser la technologie des composants, 1996, Heft 2, S. 130-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Expérience en technologie à 3 microns: un procédé CMOS 10 volts à puits n / 3 μm technology experimentation: a 10 V n-well CMOS method
    BEERNAERT, D
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 398-404
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    TECHNOLOGIE CMOS A GRILLE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN: TECHNOLOGIE AUX RESSOURCES MULTIPLES POUR LES CIRCUITS HORLOGERS.
    GERBER, B
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Les arcanes de la basse consommation / The secrets of low consumption electronics
    FERRARI, T
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 1997, Heft 37, S. 5-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Technique MOS-VLSI à 1 micron / 1 μm MOS-VLSI technique
    MOHAMMADI, F
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 405-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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