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    Advanced cmos devices: Part II - exploratory devices and approaches
    WONG, H.-S. Philip
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 13-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si:C epitaxial wafer for improved sub-100nm CMOS transistor performance
    STANDLEY, R ; MANSOORI, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 535-541
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Self-aligned PtSi fully silicided (FUSI) metal gates for 45 nm CMOS applications
    VAN DAL, M. J. H ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 233-240
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tantalum-based gate electrode metals for advanced CMOS devices
    HOOKER, J. C ; LANDER, R. J. P ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 215-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Thin HfxTiySixO films with varying Hf to Ti contents as candidates for high-k dielectrics
    BAUER, A. J ; PASKALEVA, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 125-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Suppressed leakage in low temperature RTA (700°C 30S) junctions with buried epitaxial Si1-yCy
    CHUNG FOONG, TAN ; LEE, Hyeokjae ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 554-561
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Suppressed boron diffusion in bulk silicom below strained (100) Si1-xGex surfaces during nitrogen annealing
    CARROLL, M. S ; SUH, Y. S ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 446-454
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical properties of CVD-WNx thin films deposited on high-k materials
    ALLEGRET, S ; ROLLAND, G ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 324-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Structural and electrical characterization of zirconium oxide thin films deposited by MOCVD
    LISKER, M ; SILINSKAS, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 418-425
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Properties of HftaxOy high-k layers deposited by ALCVD
    ZHAO, C ; RITTERSMA, Z. M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 133-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Properties of Ru/HfxSi1-xOy/Si MOS gate stack structures grown by MOCVD
    FRÖHLICH, K ; LUPTAK, R ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 339-346
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nickel thin film deposition using Ni (PF3)4 for LSI electrode
    ISHIKAWA, Masato ; MACHIDA, Hideaki ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 612-619
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Nb and NbN gate metallizations for gate stacks with high-k dielectrics
    SCHMIDT, Matthias ; LUDSTECK, Alexandra ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 311-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Metal gated self-aligned gate-forward nMOSFET with ≤0.8 nm EOT fabricated by in-situ Ar/O2 plasma oxidation of PVD Hf
    KOVESHNIKOV, Sergei ; TSAI, Wilman ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 274-281
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improvement of electrical properties of high-k strontium tantalate films for gate dielelectric applications
    LISKER, M ; SAINSKAS, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 426-433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Highly scalable PVD/CVD-cobalt bilayer salicidation technology for sub-50nm CMOSFETs
    YUN, J.-H ; KIM, H.-S ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 577-584
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High purity iridium thin films depositions using the inorganic IrF6
    DUSSARRA, Christian ; GATINEAU, Julien
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 354-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Germanium-on-Si MOSFETs with HfO2 gate dielectric
    DONNELLY, J. P ; CHEN, J ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 455-467
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evaluation of ruthenium precursors for thin-film applications
    HOOVER, Cynthia A ; THOMPSON, David M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 389-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Dopants for N and P junctions in germanium
    SATTA, A ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 468-475
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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