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    A 7-bit 40 MS/s single-ended asynchronous SAR ADC in 65 nm CMOS : NORCHIP
    Xu, Y.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 80 (2014), Heft 3, S. 349-357
    Online Konferenz
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    Design of Fully Integrated Impedimetric CMOS Biosensor for DNA Detection : Nanoscience, engineering and management; Micro/nano science and engineering: (BOND21)
    Fan, V.L.S. ; Yusof, Y.B.
    In: ADVANCED MATERIALS RESEARCH -ZUG-, Jg. 925 (2014), S. 524-528
    Online Konferenz
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    Inverter-based 1 V analog front-end amplifiers in 90 nm CMOS for medical ultrasound imaging : NORCHIP; NORCHIP 2009
    Reddy, L.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, ISSN 1573-1979, Jg. 67 (2011), Heft 1, S. 73-83
    Online Konferenz
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    Design and implementation of a 1-5 GHz UWB low noise amplifier in 0.18 μm CMOS : NORCHIP; NORCHIP 2009
    Shen, M.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, ISSN 1573-1979, Jg. 67 (2011), Heft 1, S. 41-48
    Online Konferenz
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    A 60 GHz receiver front-end in 65 nm CMOS : NORCHIP; NORCHIP 2009
    Tao, S.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, ISSN 1573-1979, Jg. 67 (2011), Heft 1, S. 61-71
    Online Konferenz
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    The Design of High-Speed CMOS Imaging System Based on SOPC Technology : International Symposium on Quantum-, Nano-, and Micro-Technologies
    Yang, X.H. ; Shang, Y.Y. ; et al.
    In: APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, Jg. 39 (2011), S. 523-528
    Konferenz
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    Voltage Scaling for SRAM in 45nm CMOS Process : International Symposium on Quantum-, Nano-, and Micro-Technologies
    Hu, J.P. ; Zhu, J.G.
    In: APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, Jg. 39 (2011), S. 253-259
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Complementary Pass-Transistor Adiabatic Logic Using Dual Threshold CMOS Techniques : International Symposium on Quantum-, Nano-, and Micro-Technologies
    Lu, B.B. ; Hu, J.P.
    In: APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, Jg. 39 (2011), S. 55-60
    Konferenz
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    A 3.3 V 72.2 Mbit/s 802.11n WLAN transformer-based power amplifier in 65 nm CMOS : NORCHIP
    Fritzin, J.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 64 (2010), Heft 3, S. 241-247
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    60 GHz amplifier employing slow-wave transmission lines in 65-nm CMOS : NORCHIP
    Sandström, D.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 64 (2010), Heft 3, S. 223-231
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    A 6-bit 2.5-GS/s flash ADC using comparator redundancy for low power in 90 nm CMOS : NORCHIP
    Sundström, T.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 64 (2010), Heft 3, S. 215-222
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Formula Not Shown CMOS bandgap reference featuring a 1.5-6mA output driving current and a Miller-effect startup circuit : International conference on microelectronics: ICM 2007
    Ng, D. C. ; Kwong, D. K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS JOURNAL, Jg. 40 (2009), Heft 11, S. 1514-1522
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A novel low-drop CMOS active rectifier for RF-powered devices: Experimental results : International conference on microelectronics: ICM 2007
    Hashemi, S. ; Sawan, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS JOURNAL, Jg. 40 (2009), Heft 11, S. 1547-1554
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Intrinsically Self-Amplified CMOS Image Sensor : Microelectronics, Technology and Devices
    Santos, P.M. ; de Lima Monteiro, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 23 (2009), Heft 1, S. 537-544
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Equivalent Circuit for NBTI Evaluation in CMOS Logic Gates : Microelectronics, Technology and Devices
    Schuch, N. ; Bem, V.D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 23 (2009), Heft 1, S. 421-428
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The Impact of CMOS Logic Gate Topologies on Performance Variability : Microelectronics, Technology and Devices
    da Silva, D.N. ; Reis, A.I. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 23 (2009), Heft 1, S. 439-448
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Feasibility Study of Analogue and Digital Temperature Sensors in Nanoscale CMOS Technologies : Microelectronics, Technology and Devices
    Geljon, M. ; Sill, F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 23 (2009), Heft 1, S. 221-228
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low-capacitance ESD protection design for high-speed I/O interfaces in a 130-nm CMOS process : International Microelectronics and Packaging Society; IMAPS-CPMT Poland 2008
    Hsiao, Y. W. ; Ker, M. D.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 6, S. 650-659
    Konferenz
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    Photoresponse Analysis of Sensors Fabricated with Standard 2.0 μm CMOS Technology : Microelectronics technology and devices; SBMICRO 2007
    Huanca, D.R. ; Rodriquez, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 9 (2007), Heft 1, S. 553-560
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Study of the Drain Leakage Current Behavior in Circular Gate SOI nMOSFET Using 0.13μm SOI CMOS Technology at High Temperatures : Microelectronics technology and devices; SBMICRO 2007
    Almeida, L.M. ; Bellodi, M.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 9 (2007), Heft 1, S. 397-404
    Konferenz
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