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17 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS
    Labalette, Marina
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Défis et méthodologie du développement des technologies CMOS avancées : La technologie microélectronique / Challenges and methodology for developing advanced CMOS technologies
    BOEUF, Frédéric ; ARNAUD, Franck
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Les États-Unis préparent l'ère post-CMOS / United-States are preparing the post-CMOS era
    OSWALD, Marilyne ; OCHOA, Daniel ; et al.
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2008, Heft 145, S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line
    LABALETTE, Marina ; STAR, ABES ; et al.
    2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    L'avenir de la technologie CMOS de la microélectronique à la nanoelectronique
    DELEONIBUS, S
    In: Le vide et ses intervenants : Guide à l'usage des utilisateurs du vide. Edition 2000, 2000, S. 122-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Une caractérisation de technologie CMOS à l'usage d'étudiants en cycle d'ingénieur / A CMOS technology characterization exercise intended for engineering school students
    STEFANELLI, B
    In: Annales des télécommunications, Jg. 46 (1991), Heft 9-10, S. 496-500
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line ; Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS
    Labalette, Marina ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02067918 ; Electronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2018. Français. ⟨NNT : 2018LYSEI037⟩, 2018
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS ; 3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line
    Labalette, Marina ; Lyon ; et al.
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Filtres monolithiques CMOS à capacités commutées, un nouveau concept: filtres programmables par masque (FPM) / Monolithic CMOS filters with switched capacitors, a new concept: Mask programmable filters
    CAILLON, C ; ROCHE, J.-P ; et al.
    In: Onde électrique, Jg. 65 (1985), Heft 3, S. 7-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Transistors mono-electroniques double-grille : Modélisation, conception and évaluation d'architectures logiques
    Bounouar, Mohamed Amine
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Dopage laser en microélectronique / Laser doping in microelectronics
    SARNET, T ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: 8ème Colloque national sur les sources cohérentes et incohérentes UV, VUV, Jg. 138 (2006), S. 203-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Double-gate single electron transistors : Modeling, design et évaluation of logic architectures ; Transistors mono-electroniques double-grille : Modélisation, conception and évaluation d’architectures logiques
    Bounouar, Mohamed Amine ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00967363 ; Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2013. Français. ⟨NNT : 2013ISAL0068⟩, 2013
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Transistors mono-electroniques double-grille : Modélisation, conception and évaluation d’architectures logiques ; Double-gate single electron transistors : Modeling, design et évaluation of logic architectures
    Bounouar, Mohamed Amine ; Lyon, INSA ; et al.
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Les « systèmes sur puce » au Japon / Systems on a chip in Japan
    METOU, Alfred
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2006, Heft 128, S. 33-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Les architectures innovantes sur silicium mince: Un second souffle pour la loi de Moore ? : L'électronique nanométrique / Innovative architectures on thin silicon : Second lease of life for Moore's law?
    AUTRAN, J. L ; MUNTEANU, D
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2003, Heft 8, S. 21-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Formation pratique à la conception d'un circuit intégré spécifique / Practical training of application specific integrated circuit design
    ROBERT, M ; LASSALE, J ; et al.
    In: Annales des télécommunications, Jg. 46 (1991), Heft 9-10, S. 514-525
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Vers la monoélectronique : Physique et technologie en microélectronique / Towards single electron devices : Microelectronics - Physics and technology
    GAUTIER, J
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1999, Heft 9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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