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    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process.
    Song, Yi ; Zhou, Huajie ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Using Double-Patterning Versus Single-Patterning on Threshold Voltage (VTH) Variation in Quasi-Planar Tri-Gate Bulk MOSFETs.
    Shin, Changhwan ; Park, In Jun
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-05-01), Heft 5, S. 578-580
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Vertically Stacked and Independently Controlled Twin-Gate MOSFETs on a Single Si Nanowire.
    Li, Xiang ; Chen, Zhixian ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1492-1494
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multifunctional Field-Effect Transistor for High-Density Integrated Circuits.
    Marino, Fabio Alessio ; Meneghesso, Gaudenzio
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 264-266
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Heterogeneously Integrated Vapor-Liquid-Solid Grown Silicon Probes/(111) and Silicon MOSFETs/(100)
    Okugawa, Akihiro ; Mayumi, Kotaro ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), Heft 5, S. 683-685
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Realization of Ni Fully Silicided Gate on Vertical Silicon Nanowire MOSFETs for Adjusting Threshold Voltage (VT)
    Chen, Z. X. ; Singh, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1495-1497
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Table of Contents.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-06-01), Heft 6, S. 831
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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