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    Characterization of 4 K CMOS devices and circuits for hybrid Josephson-CMOS systems
    YOSHIKAWA, N ; TOMIDA, T ; et al.
    In: The 2004 Applied Superconductivity Conference, Jacksonville, FL, USA, October 3-8, Jg. 15 (2005), Heft 2, S. 267-271
    Online Konferenz
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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
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    CMOS Small-Signal and Thermal Noise Modeling at High Frequencies
    ANTONOPOULOS, Angelos ; BUCHER, Matthias ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 11, S. 3726-3733
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Negative Bias Temperature Instability in CMOS Devices
    MAHAPATRA, S ; ALAM, M. A ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 114-121
    Konferenz
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    Improving symbolic analysis in CMOS analog integrated circuits
    AGUILA-MEZA, J ; TORRES-PAPAQUI, L ; et al.
    In: 2004 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (proceedings), 2004, S. 193-196
    Konferenz
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    Characterization and model of 4-terminal RF CMOS with bulk effect
    YANG, M. T ; WANG, Y. J ; et al.
    In: 2004 international conference on microelectronic test structures (March 22-25, 2004, S. 189-193
    Konferenz
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    A simple transmission line de-embedding method for accurate RF CMOS noise modeling
    GUO, J. C ; HUANG, C. H ; et al.
    In: 2004 IEEE radio frequency integrated circuits (RFIC) symposium (Fort Worth Convention Center, June 6-8, 2004), 2004, S. 607-610
    Konferenz
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    A new approach to the modeling of oxide breakdown on CMOS circuits
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Reliability of electron devices, failure physics and analysis, Jg. 44 (2004), Heft 9-11, S. 1519-1522
    Konferenz
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    DJEFFAL, F ; CHAHDI, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 48-56
    academicJournal
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    Direct Tunnelling Gate Leakage Variability in Nano-CMOS Transistors
    MARKOV, Stanislav ; ROY, Scott ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 11, S. 3106-3114
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance and Yield Benefits of Quasi-Planar Bulk CMOS Technology for 6-T SRAM at the 22-nm Node
    SHIN, Changhwan ; DAMRONGPLASIT, Nattapol ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 7, S. 1846-1854
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Electro-Thermal Behavior of a Sub-Micrometer Bulk CMOS Device : Modeling of Heat Generation and Prediction of Temperatures
    HATAKEYAMA, Tomoyuki ; FUSHINOBU, Kazuyoshi
    In: Recent topics in electronics cooling-From transistors to systems, Jg. 29 (2008), Heft 2, S. 120-133
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Layout Dependence Modeling for 45-nm CMOS With Stress-Enhanced Technique
    MORIFUJI, Eiji ; AIKAWA, Hisashi ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 9, S. 1991-1998
    Online academicJournal
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    Discrete Dopant Fluctuations in 20-nm/15-nm-Gate Planar CMOS
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 6, S. 1449-1455
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Modeling and significance of fringe capacitance in nonclassical CMOS devices with gate-source/drain underlap
    KIM, Seung-Hwan ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 2143-2150
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Characteristics and modeling of sub-10-nm planar bulk CMOS devices fabricated by lateral source/drain junction control : Advanced compact models and 45-nm modeling challenges
    WAKABAYASHI, Hitoshi ; EZAKI, Tatsuya ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 1961-1970
    Online academicJournal
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    A Cascade-Parallel Based Noise De-Embedding Technique for RF Modeling of CMOS Device
    LOO, X. S ; YEO, K. S ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 21 (2011), Heft 8, S. 448-450
    Online academicJournal
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    Modeling of the threshold voltage in strained Si /Si1-xGex/Si1-yGey(x≥ y) CMOS architectures
    TSANG, Y. L ; CHATTOPADHYAY, Sanatan ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 11, S. 3040-3048
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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